ASM日前宣布，其已成功开发出一种高速原子层沈积制程，能够为45nm high-K 闸极制程提升一倍氧化铪(HfO2) 薄膜的产量，进而延伸在关键原子层沉积(ALD)市场的领导地位。

新的高速ALD制程是专门设计在ASM的Pulsar制程模块上运作，并可使用既有的反应炉设备设计透过专利的制程最适化技术达成产能的提升。目前新的制程已经在多家客户的制造环境中实际运作，并且能在不对薄膜和装置效能产生负面冲击的前提下，提升超过一倍的沉积率。这个制程同样也能在32nm制程节点实施，并对产能带来同样的效益。

ASM晶体管产品部门产品经理Glen Wilk表示，ALD制程能够提供绝佳的流程控制，以及薄膜的一致性和纯度。由于沉积率可以增加一倍以上，因此在32 nm 闸极电介质所能达成的产量已经可和MOCVD沉积法相当，但同时又可以维持ALD层的质量。Pulsar ALD 反应炉是业界在生产铪基high-k闸极电介质方面的翘楚，而这项产能提升的成果将让我们在22nm以上的领域也取得领导地位。