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ASM研发提升45nm High-k制程1倍产量的ALD技术
 

【CTIMES / SMARTAUTO ABC_1 报导】    2009年02月09日 星期一
浏览人次：【3529】
ASM日前宣布，其已成功开发出一种高速原子层沈积制程，能够为45nm high-K 闸极制程提升一倍氧化铪(HfO2) 薄膜的产量，进而延伸在关键原子层沉积(ALD)市场的领导地位。
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關鍵字： high-K  ALD  ASM  Glen Wilk 
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