美光科今日宣布，全球首款采用176 层 NAND 的通用快闪记忆体储存 UFS 3.1 行动解决方案已正式量产出货。透过较前几代快 75% 的循序写入和随机读取性能，专为高阶和旗舰级手机打造的美光 UFS 3.1 独立行动通用快闪记忆体，将能彻底释放 5G 的潜力，9.6 秒内完成一部两小时的 4K 电影下载。

美光的 176 层 UFS 3.1 解决方案提供较上一代快 15% 的混合工作负载效能，可以更快速地启动和切换应用程式，提供更流畅的行动体验。在没有储存装置的瓶颈下，透过 UFS 3.1 介面和美光 176 层 NAND 的强大组合，使用者可以善用 5G 的高速优势。

美光行动事业部资深副总裁暨总经理 Raj Talluri 表示，5G 为行动装置提供数千兆位元的速度，其中，高性能硬体基础对于驱动光速般的行动装置体验而言至关重要。藉由无与伦比的性能，美光突破性的 176 层 NAND 技术能在弹指之间为消费者带来丰富的多媒体内容。

美光 176 层 UFS 3.1 独立行动通用快闪记忆体现已上市，有三种不同的容量配置：128GB、256GB 和 512GB。