南韩海力士半导体（Hynix Semiconductor）对外表示，该公司已经从美国英特尔（Intel）获得了DDR3同步动态随机内存（SDRAM）的产品认证。

海力士表示，此次获得的是80nm制程技术的1Gbit DDR3 SDRAM，以及该芯片应用于个人计算机（PC）大容量储存模块的认证。在获得Intel的认证之后，海力士计划从2007年第3季正式量产这些获得认证的SDRAM产品，并于2007年年底开始以66nm制程技术制造产品。

此次获得认证的SDRAM模块的容量分为1GB和2GB两种。工作电压为1.5V，工作速度为800Mbps和1066Mbps。DDR3 SDRAM的工作速度约为DDR2 SDRAM的2倍。此外DDR3产品的工作电压也比DDR2产品低上许多，耗电量减少了25％以上，这主要是由于使用了三维晶体管的构造，可减少漏电流，进一步降低耗电量，并提高了数据保存能力。

SDRAM是一种新的DRAM技术，它主要是利用一种同步定时器对内存的输出入信号加以控制。同步控制使得微处理器与内存的频率同步，所以SDRAM执行命令和传输数据时可以节省许多时间，因此计算机整体效率亦大幅提升。SDRAM有两个很大的优势，第一是SDRAM可以处理超过100MHz的总线速度，第二是SDRAM和系统频率同步，并且可以让两页的内存同时开启。

SDRAM是把DRAM的架构改良，并再加上同步和双埠（Dual Bank）的功能。异步的内存由于设计上的限制，所以它的频率无法调得很高，但是同步的内存可以让频率比较精准地控制时间，所以频率可以调到100MHz以上。