NAND闪存的主流制程将在今年达到40奈米以下，这项新制程将让NAND芯片读写速度提高1倍，正式跨入G世代，也让NAND业者全力支持USB3.0发展，包括三星、东芝、英特尔等业者，都于CES展中宣示跨入USB3.0世代。

进入了40奈米以下的NAND新制程，读取速度理论值已达每秒230MB（约1.84Gbps），写入速度理论值达每秒 180MB（约1.44Gpbs），正式跨足1Gbps的高速境界。

不过，虽然终端记忆卡的读写速度理论值，已拉高至800Mbps以上，但目前市场上NAND的终端产品多属USB2.0界面，最高480 Mbps的传输带宽已然不敷使用，除了国际NAND供货商包括三星、海力士、东芝及新帝、英特尔及美光等要于CES展中宣布进入USB3.0世代，国内厂商也纷纷发表新作，创见、威刚、劲永、金士顿等，都趁势推出USB 3.0规格之记忆卡、随身碟、固态硬盘（SSD）...等。由于规格转换初期兼容性问题总令人头疼，劲永也推出USB3.0接口控制卡，即使是不支持USB3.0的主板，也能藉由接口控制卡连接任何USB3.0产品。

随着近期NAND价格回升，重拾信心的业者也开始愿意提高投资额，据了解，Canon、Nikon等业者的浸润式微影设备机台，至少一半都用以次世代NAND制程微缩。通路业者表示，三星及东芝的32奈米、英特尔及美光的34奈米等NAND芯片，今年第二季后将陆续量产出货，台湾模块厂智原、创惟已经完成USB 3.0组件端控制芯片研发，本季起应可接到NAND业者订单。

目前，智原USB 3.0物理层（PHY）已经获得多家NAND控制芯片厂采用，ASIC芯片也将正式出货。而创惟也在CES展出USB 3.0桥接芯片及集线器等产品。以速度取胜的NAND新制程，果然将已具热度的USB3.0话题拉抬得更加火红。