东芝与美国SanDisk共同发表了采用43nm制程，和2bit/单元多层技术所生产的16Gbit NAND闪存。这种芯片面积仅120平方公厘，可封装在超小型储存卡microSD内。新产品配备了控制栅极驱动电路和存储数组上的电源总线，NAND串数延长至66个，并减小电路面积达9％以上。

该两家公司在2007年12月中，于美国华盛顿召开的电子组件技术国际会议2007 International Electron Devices Meeting（2007 IEDM）上，共同发表了用于实现此种16Gbit NAND闪存产品的制造技术。储存单元采用浮游栅极构造。透过将储存单元的控制栅极和浮游栅极间的绝缘膜（inter-gate dielectric film；IGD）厚度减薄到不足13nm，同时实现了多层记忆和高速写入。此外，由于字线采用钴硅化物材料、位线采用铜材料，所以减小了行译码器和位线控制电路的面积。