全球功率半导体及管理方案厂商----国际整流器公司（IR），宣布其创新的DirectFET功率封装技术，能使功率系统符合英特尔最新64位处理器Itanium 2的功率管理要求。该公司的IRF6601及IRF6602 HEXFET功率MOSFET均采用DirectFET封装，能够在最精简的面积上，以最少量组件满足Itanium 2的功率规格。

DirectFET封装采用独特设计，可从封装顶部散热，毋须经由热饱和印刷电路板。这种专利设计可大大提升功率MOSFET的载电效能，以同业内最高效率的途径满足Itanium处理器的功率要求。

IR台湾分公司总经理朱文义表示：「英特尔Itanium 2芯片的问世，为功率系统设计人员带来了极大挑战。由于这种应用系统的输出电压低，功率水平高，使电流到达前所未有的水平。我们的DirectFET MOSFET组件可提供独特的解决方案，应付Itanium处理器电源的热量管理及设计复杂性问题。」

当输出电压低至1.3V，电流可达100A峰值，瞬变效应也较高。当处理器从省电的休眠模式恢复运作之际，这种情况特别常见。电流越大，产生的热量亦越高，设计人员必须以最具效率的方法散热。

全新DirectFET封装舍弃了SO-8一类传统表面贴装封装的导线架铅外壳及塑模设计。硅MOSFET芯片顶部的金属外壳可作散热之用，使电路板的热量从组件顶部流散，同时有助处理器本身散热。

若把一对IRF6601和IRF6602 DirectFET MOSFET组件设于多相同步降压转换器，可在1.3V电压下提供每相30A的电流；并可于3.8 x 1.25 (吋) 面积上，在500kHz下展现92%的操作效率。

相比于采用传统SO-8组件的电路，DirectFET MOSFET能将传统SO-8 MOSFET组件数减少60%，同时可简化电路布置，以减低电路的寄生效应。此外，DirectFET MOSFET能将传统电路的冷却设计化繁为简，提升热量管理效率。