据网站Silicon Strategies报导，在IBM、Cypress、Infineon、NEC及Motorola等业者相继投入人力物力，开发最新磁电阻式随机存取记忆体（MRAM）之后，南韩三星电子也宣布加入此一新型记忆体的研发行列，并表示该公司已在技术上获得重大突破。

MRAM被视为是SRAM、DRAM及快闪记忆体（Flash）后最具潜力的记忆体产品，可望一次取代上述三种产品，因而吸引许多记忆体业者相继投入开发行列；据了解，目前在研发上成效最佳的厂商为Motorola，该公司预估2003年可以生产出样品，2004年则可发表4M容量的嵌入式系统用MRAM。

目前MRAM在开发上的最大瓶颈在于如何量产，虽然各家业者几乎都有能力开发出原型产品，但量产则会受到氧化层厚度微小误差的影响，使得产品特性大不相同，据该报导指出，氧化层厚度误差0.1埃，就会让MRAM磁通道接面（MTJ）阻值产生相当大的变化。

而南韩三星电子则宣布已在MRAM的开发上已取得重大突破，并解决了氧化层厚度可能产生的问题；三星表示，该公司因采用分区感应（Sensing）架构制造MRAM，每一个区域都拥有自身参考值，即使氧化层厚度变化过大，也可根据参考值将阻值降到最低，三星指出，其产品MTJ约在2.5～11欧姆间。