韩国经济日报指出，三星电子、Hynix半导体和其他芯片制造商，准备提高内存芯片价格，涨幅最高可能达10%。亿恒科技公司(Infeneon)执行长舒马赫表示，内存芯片「需求强劲得令人难以置信」。除了三星与Hynix之外，集邦科技(DRAMeXchange)也指出，华邦等业者已达成拉抬DRAM价格的共识，三月份合约价将大幅度上调25%，原厂128Mb DRAM官方报价已确定定价5.5美元。

外电报导，南韩Hynix去年底关闭位于利川的两座非内存8吋晶圆厂，近期规划出售予大陆及匈牙利买家，被视为与美光歧见缩小，剩下七条DRAM生产线与美光合并的机会大增。

集邦科技表示，三月份DRAM厂之所以大幅调涨合约价，主要考虑点有三，一是因为各家业者新旧制程转换并不如预期顺利，如三星、美光、南亚科等全面改用新制程量产时间，已呈现由第二季初递延至第二季中旬情况，因此在OEM计算机大厂的需求仍强劲、DRAM厂供货仍吃紧的情况下，再向上拉抬合约价原本就是正常的事。

DRAM业者指出，首季内存市场价格回稳，使得业者重燃筹资计划，预计第二季将出现筹资高峰期，为了提高全球存托凭证(GDR)、可转换公司债 (ECB) 的发行条件，即使第二季 DRAM 价格涨势停滞，股价仍努力维持高点。