根据TrendForce记忆体储存研究(DRAMeXchange)调查显示，2018年第一季的DRAM价格走势，除了绘图用记忆体(graphic DRAM)受惠於基期较低以及虚拟挖矿(cryptocurrency)需求的增温，带动价格有15%显着上涨外，其馀各应用别的记忆体在第一季约有3-6%不等的季涨幅，今年第一季全球DRAM总营收较2017年第四季成长5.4%，再创新高。

DRAMeXchange资深研究协理吴雅婷指出，观察第二季价格走势，PC-OEM厂已陆续议定第二季合约价格。就一线大厂订价来看，均价已来到34美元，较上一季平均涨幅约达3%。从市场面来观察，由於伺服器需求较隹、毛利高、获利空间较大，一线DRAM大厂持续将产能转往伺服器记忆体，加上全球DRAM产能将於年底才会逐渐开出，使得标准型记忆仍维持价格上扬格局。

观察全球DRAM大厂营收表现，三星依然稳坐DRAM产业的龙头，第一季营收再度创下历史新高，达103.6亿美元，较上季成长2.9%；SK海力士第一季营收达64.3亿美元，较前季成长2.2%，两大韩厂第一季的出货量受到手机需求疲弱影响皆略有下滑，营收市占率分别为44.9%与27.9%，合计约73%，较前一季度微幅下降。

美光集团仍旧维持第三，不过美光在报价上相对积极，今年上半年持续扮演市场中的价格领导者(price leader)，价格上涨幅度高於其他两家韩厂，第一季价格上扬幅度超过10%，带动营收达52.1亿美元，季增14.3%，市占率较前一季提升约2个百分点，来到22.6%。

从营益率表现来看，三星第一季营业利益率再创历史新高，由64%提升至69%；SK海力士亦从第四季的59%再提升至61%，两家韩厂营业利益率双双突破6成；美光则从53%再度拉升至58%。展??第二季，受惠於DRAM价格持续上涨与制程转进强化成本效益，三大厂在营收表现上可??再创新猷，各家获利率亦可??进一步提升。不过，以三星为例，其营业利益率高达69%意味着毛利率已突破8成水位，显示DRAM原厂获利能力已远高於买方能接受的程度，报价上扬幅度可能将趋缓。

观察技术面，三星今年的目标除了维持18nm制程高产出占比(约5-6成)，即将投入的平泽厂二楼DRAM产能，也将往下一代16nm制程转进。至於SK海力士，已於去年底开始导入18nm的生产，然进入1Xnm世代制程难度高、转换不易，SK海力士目前仍致力於提升其18nm的良率，其扩厂计画则维持不变，中国无锡新建的第二座12 寸厂仍照进度今年底前完工，最快要到2019上半年才会开始贡献产出。而美光方面，台湾美光记忆体(原瑞晶) 17nm已完成100%转换，台湾美光晶圆科技(原华亚科)则於第二季开始进行20nm往17nm的转换，预计今年底将可??有半数产能转往17nm生产。

台系厂商部分，南亚科受到转进20nm带来明显的位元成长，加上价格持续走扬，第一季营收较前一季大幅成长15.1%。20nm的成本效益更带动营业利益率提升至44.3%，较上季成长5个百分点。展??未来，南亚科在20nm良率将继续向上，透过产品组合持续优化的带动，获利表现将可??进一步提升。

力晶科技方面，除了替晶豪科、爱普等IC设计业者代工生意成长外，力晶本身DRAM事业的产品报价亦上扬，带动DRAM营收较上季成长8.2%；华邦方面DRAM营收则约略持平，季成长1.2%，主要为利基型记忆体报价成长幅度较小所致。