英特尔推出最新三闸极晶体管（Tri-Gate transistor）技术量产化，大大有益于直取媒体平板装置和智能型手机的战略高地。对于在这两大领域「喊水会结冻」的安谋（ARM）来说，绝对不是一个好消息，而ARM想要迂回渗透到英特尔老巢PC/NB的计划，也可能会受到一定程度的阻碍。

英特尔宣称采用22奈米制程、以3D IC架构为基础的三闸极晶体管技术，比起32奈米制程的平面双闸极晶体管技术，可降低超过50％的功耗，并且提高18～37％的处理效能，制程成本也不过微幅提高了2～3％。采用三闸极晶体管技术的最新Ivy Bridge芯片，预计将在今年年底出货给OEM厂商，相关产品可在2012年初问世。

市调机构iSuppli运算平台研究部门首席分析师Matthew Wilkins认为，减少超过50％功耗的三闸极晶体管技术，将有助于英特尔真正在媒体平板装置和智能型手机领域站稳一席之地。

三闸极晶体管技术不仅提高了英特尔Atom平台进攻媒体平板装置和智能型手机的战斗力，也强化了在传统PC/NB领地的防御能力。英特尔以往在这里拥有超过80％市占率的绝对优势，Wintel联盟更是让其他「小三」没有插手空间。不过微软在CES展会期间宣布将支持ARM微处理器架构，以往坚不可摧的Wintel联盟出现了关键性的缺口，让拥有低功耗处理核心优势的ARM，有了可趁之机得以切入行动笔电领域。市调机构Gartner因此预估到2015年，ARM核心为基础的芯片在PC/NB领域可能拥有13％的市占率。

三闸极晶体管技术的量产化，除了能让英特尔的新一代x86处理核心有能力在低功耗部份与ARM一较高下，更可抵御ARM挟低功耗优势大举挥军自家老巢的冲击。市调机构Pund-IT Research首席分析师Charles King便指出，英特尔主攻芯片效能的市场区块，大概可分为高电压装置（high-voltage settings）和低电压装置（low-voltage settings）两部份。前者应用以传统桌面计算机和服务器为主，英特尔持续拥有霸主地位；不过在后者应用的行动装置、智能型手机、媒体平板和小笔电方面，英特尔除了藉由Atom处理器切入小笔电之外，在其他部份都面临严峻挑战。三闸极晶体管技术协助英特尔喊出「芝麻开门」的关键句，开启了英特尔大步迈进low-voltage应用的康庄大道。

除了英特尔之外，台积电和IBM这几年来也都持续开发3D架构芯片技术，不过关键在于英特尔的三闸极晶体管技术已经可以量产化，iSuppli就认为相较于主要竞争对手，英特尔在3D架构芯片技术已经拥有2～3年的领先差距。此外的优势还在于三闸极晶体管不必再沿用绝缘层上覆硅SOI（silicon-on-insulator）架构，更可让成本有效降低许多，更进一步地，三闸极晶体管技术可继续适用于20奈米以下次世代微影制程阶段。

不过对于三闸极晶体管能给英特尔多大的帮助，Gartner副总裁Ken Dulaney却有不一样的看法。他认为技术上的突破毋庸置疑，但是否因此直接成为英特尔进入行动领域的利器，则有待观察。因为OEM厂商买的是封装后的系统单芯片，多媒体应用处理、基频和其他芯片整合封装于单芯片中，关键的不是只有应用处理器本身而已，其他技术也发挥作用，在这部份包括德仪（TI）、高通（Qualcomm）或是辉达（Nvidia）等竞争对手实力雄厚，英特尔还有更多尚待提升的地方。特别是在广域无线通信技术部份，行动WiMAX正让位给LTE，WiMAX声势已不如以往。加上媒体平板装置其实就是大只的智能型手机，而不是小台的PC。英特尔在这领域要能出头，也必须照规矩来。三闸极晶体管技术不见得就让英特尔在智能型手机或是媒体平板装置领域可以「笑傲江湖」。