应用材料公司的黑钻石（Black Diamond）化学气相沉积低k介电常数薄膜制程，已被全球最大专业晶圆制造服务的台湾集成电路公司选用，将用来支持其最先进的高效能0.13微米铜导线制程。目前，台积公司正与应用材料公司密切合作，希望能扩大Black Diamond技术的应用范围至正在发展的下一代0.10微米组件之中。

运用应用材料公司的Black Diamond制程技术，芯片制造商就能在很短的时间内，以一种合乎成本效益的方式，将低k介电常数加入他们的铜制程结构中，并让厂商继续使用其所熟悉的化学气相沉积技术和硅晶材料。

台积公司总经理曾繁城表示：「铜导线制程技术可以提高芯片的速度，并降低组件的功率消耗；但若要发挥铜导线制程的潜力，关键之一就是要拥有合于经济效益、且适于晶圆量产的低k介电常数制程技术，而应用材料公司的Black Diamond低k介电常数薄膜符合这些条件，可满足我们多层式铜导线晶圆的设计需求。此外，我们亦确信此产品具备良好的扩充性，可支持更新一代的各式组件，包括即将由我们12吋晶圆厂制造的产品，而这座晶圆厂将在今年正式量产。」

利用铜导线的低电阻特性，应用材料公司的Black Diamond技术可支持完整的介电常数材料，其k值范围是在3.0～2.0之间。透过铜导线制程和低k介电常数这两种技术的发展，厂商就能做出功能更为强大的芯片，并大幅改善组件工作速度及功率消耗之特性。利用应用材料公司的化学气相沉积制程设备，台积公司已成功在8吋与12吋晶圆上沉积出Black Diamond(tm)薄膜；此外，应用材料公司已在今年1月将一批Producer 制程设备交付给台积公司，让他们能将Black Diamond技术应用于铜导线制程晶圆的量产制造之中。

应用材料公司的总裁丹‧梅登（Dan Maydan）表示：「台积公司不但拥有卓越的技术，并能适时地开发出最先进的技术，同时又极为重视产品的经济效益，是全球中只有少数的芯片制造商所能比拟的。台积公司公司是拥有最精密技术的客户之一，我们非常高兴能与他们密切合作，共同将Black Diamond(tm)制程技术商业化，用以支持广泛的组件种类，并满足复杂的技术需求。」

台积公司研究暨发展资深副总经理蒋尚义表示：「Black Diamond(tm)技术为我们创下了多项重要的里程碑，包括将其应用于8层金属的整合式铜导线结构中的每一层，我们发现它可改善组件内信号传输延迟(interconnect delay)较氟化玻璃（FSG）快上20%以上，而且可靠性非常良好。Black Diamond(tm)已经展现出良好的散热与机械特性、组件封装的可靠性及成本优势，相较于其它的低k介电常数，还提供了更佳的可制造性。」

为符合下一代低k介电常数之需求，Black Diamond(tm)薄膜能继续降低总体的等效介电常数值，并搭配应用材料的BLOK(tm)阻障层低k介电常数化学气相沉积薄膜，以支持所有的介质层迭结构。此外，也可应用于应用材料的Producer制程设备，让BLOk(tm)制程能轻易地整合使用至生产在线。

应用材料公司副总裁暨介电系统与模块产品事业群总经理法哈‧莫葛丹（Farhad Moghadam）表示：「台积公司运用铜以及低k介电质，率先做出了八层金属的导线结构，再一次证明了台积公司的领导地位。我们非常高兴能与台积公司合作，共同完成这项重要的成就；我们也期盼由本月起，与台积公司位于新竹科学园区的研发部门展开另一项合作计划，共同发展下一代0.1微米组件的低k介电常数技术，并将其应用在8吋与12吋的晶圆之上。」