因应现今无所不在的感测装置以及日益升高的资料处理需求推升对耐磨损、高持久性记忆体的需要，半导体晶圆厂商联华电子与专精於MRAM技术的创新公司 Avalanche Technology於今（13）日推出具有高可靠度的持续性静态随机存取记忆体（Persistent Static Random Access Memory；P-SRAM）。第三代产品平台建构於Avalanche Technology 最新一代自旋转移矩磁性记忆体 （Spin-Transfer-Torque MRAM；STT-MRAM） 技术及联电的 22 奈米制程，相较於现有的非挥发性解决方案，更具高密度、耐用性、可靠度和低功耗的优势。

Avalanche Technology行销与商务发展??总经理Danny Sabour 表示，此次新产品的推出，真正实现了市场对高耐用性、高可靠性和高密度的各项应用需求，且无需外部电池、错误修正代码 （Error-Correcting Code；ECC） 或耗损平均技术。Avalanche将很快启动进一步提高 16Gb 单晶片解决方案的开发工作。

联华电子前瞻发展办公室暨研究发展??总经理洪圭钧表示，我们很高兴与 Avalanche Technology 这样的技术领导厂商合作，将此独立的记忆体解决方案投入生产，这是一个重要的里程碑，有助於将坚实且高度可扩展的 MRAM 解决方案商业化。联电凭藉着多元的晶圆专工技术和卓越的制造能力，并透过此次与 Avalanche Technology 的合作，将满足市场对持久性记忆体不断提升的需求。

Avalanche Technology 首席技术长兼技术与晶圆专工业务??总经理怀一呜表示，自 2006 年起，Avalanche Technology 持续专注於开发创新垂直式磁穿隧接面（perpendicular Magnetic Tunnel Junction；pMTJ） 结构的 STT-MRAM 技术。以pMTJ 和 CMOS 设计为基础，透过合作夥伴联华电子让最先进的高密度和高性能 STT-MRAM 产品得以问世。

Avalanche第三代P-SRAM的Parallel x 32 系列作为标准产品提供各种密度选项，并具有非同步SRAM兼容读/写时序。其数据始终是非挥发性的，并具备>10¹⁴ 次写入周期耐久性和1,000年保存期（在 85。C以下）。两种密度选项均采用小尺寸142-ball FBGA（15mm x 17mm）封装。这些装置都经由 JEDEC 认证流程确保宽广的（-40。C 至125。C）工作温度范围，每项装置在交付给客户前，并都经过 48小时的老化测试。其他额外认证选项亦提供给合作夥伴选择。