因AI人工智慧驱动半导体需求，全球晶片微影技术领导厂商艾司摩尔（ASML）今（6）日於SEMICON Taiwan 分享新一代高数值孔径极紫外光（High NA EUV）微影技术，并表示将协助晶片制造商简化制造工序、提高产能，并降低每片晶圆生产的能耗。

ASML High NA EUV 产品管理??总裁 Greet Storms

基於全球半导体产值到2030年可??将达1兆美元，依SEMI预估AI驱动的半导体产业成长，将占5成以上。为了持续使晶片微缩成本更具效益，推动摩尔定律的进展。ASML今日也分享其最新一代 High NA EUV 微影技术。

透过采用最新光学元件，将数值孔径（numerical aperture）从0.33提升至0.55，以提供更高成像解析度；临界尺寸（critical dimension, CD）可达到8nm，让晶片制造商可以在同样单位面积的晶片上，实现较现今高出2.9倍的电晶体密度；且成像对比度较上一代0.33 NA EUV提高 40%，可大幅降低成像缺陷。

ASML High NA EUV产品管理??总裁Greet Storms也表示，作为半导体生态系的一员，ASML透过持续开发最新微影技术，且与我们的合作夥伴不断创新，帮助晶片制造商能够以更具成本效益的方式量产尺寸更小、功能更强、更低功耗的晶片。包含透过导入High NA EUV，客户将可减少量产逻辑和记忆体晶片的制造工序，进而显着降低制程缺陷、成本和生产周期。

Greet Storms说：「High NA EUV（0.55 NA）将与现行的EUV（0.33 NA）在设计方面有通用性，可降低客户的导入风险和研发成本。」目前High NA EUV微影系统已於去年底开始陆续出货，产能预计每小时可曝光超过185片晶圆，将支援2奈米以下逻辑晶片及具有相似电晶体密度的记忆体晶片量产。

此外，当半导体产业透过生产更快、更强大、同时又节能且价格可负担的晶片，实现物联网的世界。却也带来相对应的付出，例如能源消耗。ASML则不断致力透过研发创新降低能源消耗，透过与客户密切合作，在提高生产力的同时，减少制造每片晶圆所产生的能耗。根据ASML 2023年报，从2018~2023年，ASML EUV曝光每片晶圆的能耗减少了近40%；更希??到了2025年，再减少30~35%能耗。

为了让晶片制造商用更具成本效益的方式生产尺寸更小、功能更强、更节能的晶片，ASML还提供全方位微影解决方案，包括微影系统和应用产品，同时为先进制程和成熟制程客户提供具成本效益的解决方案来支援所有应用。

依ASML预估，客户若在先进制程晶片制造中导入包括EUV和High NA EUV微影系统，将可简化制程工序、减少光罩数量，提升产能和良率，进而降低生产每片晶圆的用电量。估计到了2029年，使用ASML微影技术生产每一片晶圆使用的100度电，将为整体制程节省200度电。