外电报导，三星电子计划在2003年底～2004年投资3兆～4兆韩元（约24～32亿美元），以增设Fab12与Fab13的12吋晶圆生产线。三星预计到2004年中旬，该公司12吋晶圆月产能可达4万片以上，分别为英飞凌（Infineon）、台积电、联电与尔必达（Elpida）等半导体大厂的2～5倍。

南韩业界相关人士表示，三星预定2003年10～11月将Fab12 Phase2设备装机完成，月产能1.2万片；同时将Fab13投资时间点，提前至2004年第一季末，计划投资3兆韩元，将制程技术由0.13微米制程，升级至0.10微米制程，月产能约为1万片。若生产线全面运转，Fab11月产能7000片，Fab12月产能2.5万片，Fab13月产能1万片，基此，三星12吋晶圆月产能可望达4～5万片。

南韩设备业界相关人士表示，三星Fab12 Phase1将从这个月导入量产；而三星之所以对12吋生产线进行大规模投资，其理由在于全球DRAM市场景气逐渐复苏，加上三星将既有第六、七、八生产线，转产非记忆体，导致记忆体产量减少所致。