隨著半導體技術邁向 2nm 及以下的節點，製程技術的每一步都成為推動摩爾定律延續的重要基石。在這其中，乾式光阻（dry resist）技術的出現，為解決極紫外光（EUV）微影製程中的解析度與良率挑戰提供了突破性解決方案。

科林研發（Lam Research）近期在其乾式光阻技術發展方面有所突破，可直接實現 28 奈米間距的高解析度圖案化，適用於後段（BEOL）邏輯製程，並已通過全球知名研究機構 imec 的認證。這項創新技術不僅提高了 EUV 微影的解析度，同時在降低缺陷率與提升生產良率方面，也取得了同級產品中領先的成果。

乾式光阻技術採用獨特的材料與工藝設計，大幅改善了 EUV 曝光過程中劑量與缺陷率之間的權衡，從而優化了圖案化效果。這種能力對於晶片製造商縮小電晶體特徵尺寸、實現更高性能元件設計至關重要。

傳統濕式光阻製程在微縮過程中面臨材料使用量大、缺陷率高等挑戰，而乾式光阻技術憑藉材料消耗量減少 5 到 10 倍，能源使用顯著降低的特性，提供了兼具效能與永續性的解決方案。此外，科林研發的乾式光阻技術已被證明可與低數值孔徑（Low NA）及高數值孔徑（High NA）的 EUV 設備無縫整合，展現出廣泛的應用潛力。

在 imec 的聯合研發平台上，這項技術已成功實現優異的低缺陷率與高保真度，並顯示出在更高解析度及生產效率上的價值。imec 製程技術副總裁 Steven Scheer 表示，乾式光阻技術的進步不僅讓製造成本更加具競爭力，也為晶圓廠與整合元件製造商提供了早期採用創新技術的機會，加速其製造進程。