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imec展示單片式CFET功能元件 成功垂直堆疊金屬接點
 

【CTIMES/SmartAuto 籃貫銘 報導】   2024年06月21日 星期五
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於本周舉行的2024年IEEE國際超大型積體電路技術研討會（VLSI Symposium）上，比利時微電子研究中心（imec）首次展示了具備電性功能的CMOS互補式場效電晶體（CFET）元件，該元件包含採用垂直堆疊技術形成的底層與頂層源極／汲極金屬接點（contact）。雖然此次研究的成果都在晶圓正面進行接點圖形化，不過imec也展示了改從晶圓背面處理接點圖形的可行性—這能大幅提升頂層元件的存活率，將其從11%提升到79%。
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關鍵字： CFET  imec 
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