三菱電機株式會社（Mitsubishi Electric）宣布，將開始發貨用於驅動馬達的碳化矽 （SiC) 金屬氧化物半導體場效電晶體（MOSFET）裸晶片樣品11月14日，三菱電機推出電動車（EV）、插電式混合動力車（PHEV）和其他電動車（xEV）的逆變器。該公司能夠應對逆變器的多樣化為xEV提供支持，並為這些車輛的日益普及做出貢獻。

標準化功率半導體晶片將延長xEV的行駛里程並降低電力成本。左圖為用於 xEV 的 SiC-MOSFET 晶圓；右圖為用於xEV的SiC-MOSFET裸晶片佈局。（source：Mitsubishi Electric）

用於xEV的新型 SiC-MOSFET 裸晶片結合專有的晶片結構和製造技術，透過增強xEV的逆變器性能、延長行駛里程和提高能源效率，提升減碳效益。

三菱電機的新型功率半導體晶片是專有的溝槽 SiC-MOSFET，與傳統的平面SiC-MOSFET比較之下，功率損耗降低大約50%。由於獨特的製造技術，例如抑制功率損耗和導通電阻波動的柵極氧化膜製程，新晶片實現了長期穩定性，有助於提高逆變器的耐用性和xEV性能。