根据日经产业新闻报导指出，日立制作所与日本瑞萨（Renesas）就新一代的半导体内存PRAM（Phase Change Random Access Memory；阶段变化随机存取内存）的实用化已取得重大进展。根据了解，日制PRAM比起南韩三星电子开发的产品，消费电力仅为其一半，而且内存的密集化、驱动上的稳定性，有过之而无不及。这也使得日本科技厂商在与南韩间新一代半导体的开发战中暂时取得优势。

报导指出，一般认为PRAM将成闪存替代品，日本厂商将于后年推出试作品。PRAM是一种即使切掉电源，数据也不会消失的不挥发性内存。它以加热、冷却形成结晶与非结晶状态的特殊材料作为记录组件，用以保存数据。日立等公司以使用于DVD表面上记忆材料加以改良制成薄膜，试作了利用新型PRAM组件电路。

据悉，所试作的电路结构，是将厚度100奈米的薄膜置于控制电流的MOS晶体管（金属氧化膜半导体）之上，在其上面配线。而根据了解，能够以向来产品一半左右亦即1.5伏特的低电压记录与读取数据。而且试作品已证明能够长期稳定动作。现有的半导体，驱动电压多为1.5伏特，有利于PRAM的产品化。由于易于混载在控制机器的微处理机之内，一般认为有助于移动电话机、数字相机等产品的小型化。如果PRAM付诸实用，据称可望出现庞大的需求，以替代现今组装在携带式机器内的闪存。

三星电子等率先开发的PRAM因为是以3伏特的电压驱动，若要组装在携带式机器内必须要加装升压器。日立、瑞萨试作的PRAM，比起相互竞争的三星产品，日立认为在记录线路的密集化、动作的稳定性等性能也较优。

半导体业目前已展开新一代内存的开发战，富士通、松下电器产业积极埋首于FRAM（强诱随机存取内存）、NEC、东芝推动开发MRAM（磁性记录式存取内存）。理论上，PRAM记录信息密集化与长期稳定性相对较优。