无晶圆厂无尘技术半导体公司Cambridge GaN Devices（CGD）使用氮化?? （GaN）开发出多款高能效功率装置，协助打造出更为环保的电子产品；CGD 宣布由学术研究机构维吉尼亚理工大学进行的独立第三方研究表现，CGD 的 ICeGaN氮化??技术较其他氮化??平台更具可靠性及坚固性。

在aPEC电子展上，由维吉尼亚理工大学的研究人员与 CGD 创新与研究总监 Daniel Popa 共同提出名为《A GaN HEMT with Exceptional Gate Over-Voltage Robustness》（具有绝隹栅极过电压稳健性的 GaN HEMT）的技术论文中，以实验证明ICeGaN HEMT 在智慧保护电路的支援下，显示出超过 70V 的超高过电压裕度，这与最先进的传统矽装置相当，甚至可能更高。

CGD 创新与研究总监Daniel Popa表示：「突发的高驱动电压是在设计 GaN HEMT 装置的栅极可靠性和驱动器时所考虑的一大问题。最先进的 GaN HEMT 能够承受 25V 左右的电压，这在转换器等应用装置里可能是在栅极电压过冲的范围内，而造成装置故障。在出现 ICeGaN 之前，只有最先进的碳化矽（SiC）和超接面装置才能达到 70V 或更高的崩溃电压值。」

ICeGaN HEMTS 自有一套独特能力，共同提高了装置的可靠性及坚固性。除了经维吉尼亚理工大学研究证实，完全整合的GaN智慧电路所大幅提升的动态栅极崩溃能力，ICeGaN 技术还具有更高的 3V 电压??值、更高的 0-20V 电压范围，以及在较低温度下更强大的栅极电压箝位作用。

智慧 ICeGaN 电路另加入新式米勒钳位（Miller Clamp）电路，确保免受高 dV/dt 和 dI/dt 事件的影响，无需负栅极电压即可关闭（及保持关闭）HEMT，这样又减少对动态 R_on应力的暴露。

CGD商务长Andrea Bricconi表示：「我们的设计将使用晶片氮化?? GaN 制造的智慧保护电路与 HEMT 进行整合，能够实现ICeGaN 技术易用性与可靠性的两大优点，以与 MOSFET 相同的方式来驱动装置，无需使用特殊的栅极驱动器、复杂且有损耗的驱动电路、负电压电源要求或额外的箝位零件，且能在恶劣及具有挑战性的应用环境中使用。」