据工商时报报导，专注在DRAM后段封测市场的南茂集团与力成科技，因看好明年DDR-II将成为市场主流，且其后段封装测试制程亦将出现技术世代交替现象，日前分别宣布DDR-II封测市场策略。

南茂董事长郑世杰表示，DDR-II将于明年第二季随着英特尔新芯片组一同推出，预计2005将成为主流产品，但因封装与测试制程全面更新世代，所以现在布局DDR-II封测产能，明年才可顺利争取到DRAM厂后段订单。

南茂针对DDR-II封装所需的细间距闸球数组封装（FBGA），所研发之印刷式B阶环氧树脂（Printable B-stageepoxy）技术，已全面应用于生产在线。在测试部份，因DDR-II运算频率达533MHz，现在设备并不能支持，因此南茂将采双向并行策略，除持续添购高阶测试机台之外，也致力于提升现有测试机台性能。

力成则表示，该公司第四季可完成微窗闸球数组封装（wBGA）产能建置。