根据统计，今年11月份全球DRAM总产出量，已经正式突破7亿颗256Mb约当颗粒大关，约来到7亿400万颗，若分析11月各地区的产出量成长情况，此次主要成长动力来自于日本尔必达（Elpida），产能月成长率约达14％，其它地区则有1～3％不等的成长幅度。整体来看，全球DRAM月产出量仍呈现逐月成长趋势，DRAM及NAND闪存间的产能排挤效应看来并不明显。

虽然今年以来NAND闪存需求畅旺，让三星、Hynix、美光、英飞凌等一线大厂，持续调拨DRAM产能生产NAND芯片，但实际上这个产能排挤效应，一直没有明显的压抑住全球DRAM产出量的成长，反而是下半年随着力晶、华亚科、中芯、Hynix等新十二吋厂产能陆续开出，全球DRAM产出量还在9月、10月出现一成左右的高月成长率。

根据统计，今年一月份全球DRAM总产出量，还不到4亿5000万颗水平，但至11月份，全球总产出量已正式突破7亿颗关卡，来到7万颗规模，光是以今年1～11月份的产出量来比较，DRAM月产能已成长了近六成幅度，也难怪今年下半年DRAM行情一直不佳，因为DRAM供给量十分充足。

由11月份各地区的DRAM产出量来分析，日本尔必达的月出货量逼近6000万颗，较前一个月成长14％幅度，与美国、欧洲、韩国、台湾等四地约1～3％的月成长率相较，有了很大的对比。而尔必达产出量大跃进，除了代工伙伴力晶、中芯的十二吋厂产能持续增加外，自建的十二吋厂E300新生产线于十月份正式投产，亦是重要因素之一。

除了日本之外，其它地区的DRAM厂现在没有太积极的扩产动作，产出量的成长只能依赖制程技术微缩及良率提升，不过因为部份DRAM厂明年新厂即将量产，包括华邦、茂德等中科十二吋厂将于明年量产，英飞凌位于美国Richmond的十二吋厂明年亦将扩大投片量，Hynix在大陆的八吋厂及十二吋厂亦将于明年底开出新产能，所以市场认为明年DRAM市场供给量的成长幅度仍将惊人，最快明年底全球月产出量就会突破十亿颗大关。