工商时报引述集邦科技统计指出，2003年12月全球DRAM总产出量维持小幅成长，其中美光（Micron）因制程良率获得突破，12月份产出量成长率达18.3％。而集邦科技预估，由于日本、台湾DRAM厂在2003第4季均增加投片量，2004第1季全球DRAM产出量成长幅度将会转大。

据集邦科技所公布的统计数据，2003年12月全球DRAM产出约达2亿9600万颗256Mb约当颗粒，较11月份成长6左右％。由各厂商生产情况分析，美光因0.11微米制程良率改善，12月份产出量成长达18.3％，至于德国英飞凌、韩国三星、Hynix、日本尔必达（Elpida）、以及台湾三家DRAM厂等业者，月成长率则仍介于2％至5％之间。

市场分析师指出，2003年三星、Hynix、英飞凌等业者陆续调拨DRAM产能生产NAND芯片，造成2003年下半年DRAM产出量年成长率低于2成，明显低于过去约3至4成的成长率。但包括力晶、茂德、尔必达等业者，2003年第4季12吋厂投片量已经快速拉升，力晶第4季月投片量已拉升至2万2000片，茂德月投片量也拉升至1万片以上。

分析师指出，因为新产能会在1月份开出，因此预估1月份DRAM产出量会有明显成长，第1季全球DRAM产出成长率将会明显放大，若市场需求复苏动能未能顺利跟上，市场供给过剩现象恐会持续压抑价格。