DRAM市场短期难见曙光，厂商为对抗不景气，只能拚命增加产出，并压低生产成本，力晶23日表示，晶圆一厂运用0.18微米制程，微缩至0.16微米制程试产后，量率达到八成以上，并于本周起正式量产，将进一步使晶粒制造成本降低近20％；另一家DRAM厂茂德也将在年底跨入0.14微米制程，并试产0.11微米制程，可望大幅降低生产成本。

力晶半导体公司总经理蔡国智昨日表示，为提升竞争力，进一步降低生产成本，力晶一厂自去年十一月即开始针对0.18微米制程微缩至相当于0.16微米制程计划进行评估，今年第一季开始进行0.16微米制程微缩设计，整过微缩制程设计进行相当顺利，第二季即已开始试产，由于已获致相当满意良率水平，在上周完成后续可靠度验证后，本周即将开始大量生产，预计第四季，制程五成以上可转换至0.16微米，根据试产结果，预估量产后良率将可达到八成以上。

而力晶技术合作母厂三菱与力晶，除了在0.18微米这一世代技术进行微缩，三菱也同时将0.15微米制程进一步微缩，未来晶圆二厂也将采用三菱0.15的微缩版本，进一步提升力晶在DRAM产品获利空间。

至于国内另一家卯起劲来拚产能的茂德，目前八吋厂悉数采用0.17微米制程，该公司计划，也将在年底跨入0.14微米制程，并试产0.11微米制程，可望大幅降低生产成本。至于八月即将投片试产的十二吋厂，则将采用0.14微米制程切入。