随着人工智慧（AI）、5G与AIoT等科技加速发展，工研院累积深厚的前瞻记忆体研发能量，工研院在今（15）日宣布，除了与晶圆制造龙头台积电合作开发前瞻的自旋轨道扭矩磁性记忆体（Spin Orbit Torque Magnetoresistive Random Access Memory；SOT-MRAM）阵列晶片，也携手国立阳明交通大学研发出工作温度横跨近400度的新兴磁性记忆体技术，在全球半导体领域研发指标的「超大型积体技术及电路国际会议」（Symposium on VLSI Technology and Circuits）发表相关论文，可??加速产业跻身下世代记忆体技术领先群，维持台湾半导体在国际不可或缺的地位。

工研院宣布与台积电开发「自旋轨道扭矩磁性记忆体阵列晶片」，以及与阳明交通大学合作研发新兴磁性记忆体技术，获得突破，未来发展应用潜力大。

经济部技术处指出，制程微缩是在半导体先进制程的重要趋势，而磁阻式随机存取记忆体（MRAM）具有可微缩至22奈米以下的潜力，拥有高读写速度、低耗电，断电後仍可保持资料特性，适用於嵌入式记忆体的新兴领域。基於AI、5G与AIoT科技加速发展，经济部技术处多年前即以科技专案支持工研院开发相关技术，如今已累积扎实的研发能力，不但吸引具有前瞻研发技术研发能量的国际顶尖学术机构合作，更与许多产业、学界携手投入产业化，共同展现创新的强项，为台厂开拓新世代记忆体前进之路。

工研院电子与光电系统所所长张世杰表示，MRAM有媲美静态随机存取记忆体（Static Random Access Memory；SRAM）的写入、读取速度，兼具快闪记忆体非挥发性，近年来已成为半导体先进制程、下世代记忆体与运算的新星。记忆体若在高写入速度的前提下，使用的电压电流越小，则代表效率越高，工研院携手台积电共同发表具备高写入效率与低写入电压SOT-MRAM技术，并达成0.4奈秒高速写入、7兆次读写之高耐受度，还有超过10年资料储存能力等特性的技术，未来可整合成先进制程嵌入式记忆体，在AI、车用电子、高效能运算晶片等领域前景看好。

此外，工研院与国立阳明交通大学长期密切合作，今年也在VLSI共同发表新兴磁性记忆体的高效能运作技术。优化自旋转移矩磁性记忆体（Spin-Transfer-Torque MRAM；STT-MRAM）的多层膜与元件，提高写入速度、缩短延迟、降低写入电流与增高使用次数等特色，在127度到零下269度范围内，具有稳定且高效能的资料存取能力，工作温度横跨近400度的多功能磁性记忆体是首次被实验验证，未来在量子电脑、航太领域等前瞻应用与产业上深具潜力。

因应5G、大数据、AI人工智慧与物联网科技在生活中快速发展，工研院持续在半导体前瞻研发领域推动各式创新应用发展，并在智慧化致能技术领域携手产业，共同推动产业升级、跨域合作与产业创新应用，以创新科技赢得新商机。