国际整合组件大厂(IDM)跨足12吋晶圆领域遇到瓶颈，栓槽蚀刻及化学机械抛光(CMP)问题待解决；国内动态随机存取内存(DRAM)厂技术移转来源新制程良率不到五成，预料学习曲线将延长到2002年下半年。

业者表示，目前国内DRAM厂的海外技转厂12吋晶圆运转出现两大瓶颈。首先是12吋设备的栓槽较大，晶圆及水流快速通过往往造成水渍，现阶段表面张力去除效果不佳。

其次，许多IDM以0.2微米以上制程试产12吋晶圆良率都不错，但到了0.18微米世代，就会出现CMP抛光效果不平均，晶圆中央8吋区域良率接近七、八成，但周边部分良率却下降，目前采用材料及电子转换方式解决。

德国Infineon是最早投入12吋晶圆DRAM制造的IDM，陆续以0.25微米、0.2微米、0.17微米及0.14微米试产，近期传出0.17及0.14微米良率低于五成。不过，茂德副总经理麦翰思23日表示目前尚无确切数字。

茂硅副总经理张东隆表示，按照国际大厂的经验，相同制程在8吋及12吋晶圆的良率表现，大约相差30个百分点，预料这段落差，要到年底才能解决。