科胜讯系统公司(Conexant Systems, Inc.)宣布该公司已完成进阶硅锗(SiGe)制程的开发工作，使用此种制程技术，将可大幅降低无线通信系统、高速网络系统中半导体产品的电力需求。科胜讯系统目前在Newport Beach的高产量晶圆厂已开始利用硅锗制程生产新型通讯半导体装置，预计在今年中旬可将一系列产品付诸量产；再过约六个月，待硅锗半导体产品上市之后，科胜讯系统将与IBM同时成为全球唯一具有量产规模SiGe BiCMOS半导体制程的两家公司。

硅锗制程技术被业界视为新一代通讯产品的关键技术，可让通讯产品体积更小、效率更高，以及更省电。这种技术结合了硅与锗两者的电气特性，可将线路切换速度(circuit switching speed)提升至原来的2~4倍，同时并保有传统硅晶技术的成本优势与整合效益。科胜讯系统的硅锗制程目前已首先应用于其0.35微米高产量双极互补金属氧化物半导体(BiCMOS)生产技术，此外该制程经过优化后亦可生产全世界耗电量最低的硅锗组件，以应用于目前的高频率无线通信与高速网络产品。

科胜讯系统初期将使用硅锗制程技术生产高度整合、低耗电量的RF集成电路(IC)，供无线手机及进阶无线通信终端机制造使用。另外科胜讯系统也将推出更高频率的硅锗制程版本，并将于今年中旬付诸量产，以生产OC-192同步光纤网络(SONET)组件，应用于目前全球Internet架构核心的高速光纤网络配备中。