過去半導體材料主要以第一代的矽（Si）晶圓的生產製造為主。然而，現今隨著5G通信、新能源汽車等應用市場的強勢崛起，現有以矽為基礎（Si-based）的半導體器件，因材料的物理特性已達極限，無法再提升電量、降低熱損、提升速度，因此需朝向其他更能發揮電子傳輸效率與低能耗的材料演進，而具備高能效、低能耗的第三代寬能隙（Wide Band Gap；WBG）半導體就在此背景之下因應而生。

相較於第一代半導體材料的矽（Si）與第二代半導體材料的砷化鎵（GaAs），碳化矽（SiC）與氮化鎵（GaN）等第三代寬能隙半導體材料擁有高電子遷移率、直接能隙與寬能帶等特性，更適合5G基地台、電動車充電樁等應用領域。

碳化矽市場規模不斷增長
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