帳號:
密碼:
最新動態
產業快訊
CTIMES / 文章 /
以碳化矽MOSFET實現閘極驅動器及運作
 

【作者: Guy Moxey】   2022年08月19日 星期五

瀏覽人次:【5259】

碳化矽(SiC)MOSFET為多種應用實現了高效率電力輸送,比如電動車的快速充電、供電、可再生能源以及電網基礎設施。雖然它們的性能表現比傳統的矽MOSFET和絕緣閘雙極電晶體(IGBT)更為出色,但驅動方式卻不盡相同,在設計時必須細心處理。


以下是一些對碳化矽應用進行閘極驅動器研究時的範例:


‧ 具有正及負VGS的電源電壓範圍
...
...

使用者別 新聞閱讀限制 文章閱讀限制 出版品優惠
一般使用者 10則/每30天 0則/每30天 付費下載
VIP會員 無限制 25則/每30天 付費下載

相關文章
P通道功率MOSFET及其應用
自走式電器上的電池放電保護
頂部散熱MOSFET助提高汽車系統設計的功率密度
車規碳化矽功率模組—基板和磊晶
以碳化矽技術牽引逆變器 延展電動車行駛里程
相關討論
  相關新聞
» 3D DRAM新突破!國研院聯手旺宏提升AI晶片效能
» EMITE 攜手 Anritsu 安立知支援 MIMO 的 IEEE 802.11be 測試解決方案
» ATLAS團隊透過大型強子對撞機 首次觀察到弱玻色子三胞胎的現象
» 開放和靈活為最大優勢 RISC-V架構逐步從邊緣走向主流
» Microchip推出MPLAB XC 整合式編譯器使用授權,簡化軟體管理


刊登廣告 新聞信箱 讀者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2025 遠播資訊股份有限公司版權所有 Powered by O3  v3.20.1.HK92Q9Y6MVSSTACUKL
地址:台北數位產業園區(digiBlock Taipei) 103台北市大同區承德路三段287-2號A棟204室
電話 (02)2585-5526 #0 轉接至總機 /  E-Mail: [email protected]