預計2020年，市場將出現商業化應用，高速傳輸對行動設備帶來嚴峻挑戰，新世代的行動設備需要滿足更高的溫度、功率、電壓、效能與抗輻射需求，就目前技術來看，具備寬能帶、高飽和速度、高導熱性和高擊穿電場強度等特色的化合物半導體碳化矽 (SiC)、氮化鎵 (GaN) 無疑是市場上高溫、高頻及高功率元件材料的最佳解答，根據Yole Development的研究指出，2013年至 2022年，SiC功率半導體市場年均複合將達 38%，而 2016 年至 2020 年 GaN 射頻元件市場複合年增長率將達到4%，因此，如何積極因應此一趨勢，善用本身優勢布局市場，將是台灣半導體產業這幾年的重要課題。

持續精進的化合物半導體技術
...
...