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ST和Exagan攜手開啟GaN發展新章節
 

【作者: 意法半導體】   2021年08月17日 星期二

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氮化鎵(GaN)是一種III/V族寬能隙化合物半導體材料,能隙為3.4eV,電子遷移率為1,700 cm2/Vs,而矽的能隙和電子遷移率則分別為1.1 eV和1,400cm2/Vs。因此,GaN的固有特性,讓元件具有更高的擊穿電壓和更低的通態電阻,亦即相較於同尺寸的矽基元件,GaN可處理更大的負載、效能更高,而且物料清單成本更低。


在過去的十多年裡,產業專家和分析人士一直在預測,GaN功率開關元件的黃金時期即將到來。相較於應用廣泛的MOSFET矽功率元件,GaN功率元件具備更高的效率和更強的功耗處理能力,這些優勢正是當下高功耗、高密度系統、巨量資料伺服器和電腦所需要的。


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