雪崩耐用功率開關

防止輸入線路波動或過電壓的可能解決方案之一是採用堅固耐用的功率開關。 大多數整合式功率開關內置MOSFET來達成功率切換。 在功率開關兩端的高電壓超出其額定值並導致雪崩擊穿的情況下，典型的現代功率MOSFET能夠承受一定程度的壓力。 然而，抗壓程度會因設備技術或晶片設計的不同而有很大差別。 圖1顯示了一個示例。 兩台設備在導通電阻規格上非常相似。 但在未箝制電感性切換(UIS : unclamped inductive switching)測試中，FSL系列的電流位準比故障時高10倍以上。 這意味著FSL系列在設備發生故障之前可承受高許多的電流或能量壓力； 在此情況下可達424mJ:3.67mJ。 FSL系列中的內部功率MOSFET採用垂直DMOS結構，而競爭對手的設備採用橫向DMOS結構。 通常，用於飛兆FPS? 功率開關設備的垂直DMOS結構被認為更適合高壓、高功率MOSFET。 橫向DMOS結構更適合邏輯電路集成，但在承受高度能量壓力方面不如垂直DMOS。 事實上，很難找到未箝制切換條件，因為大多數反激式轉換器包括緩衝器電路，其在關閉功率開關期間箝制高電壓尖峰。 然而，緩衝器電路不能始終保持峰值電壓低於功率開關的最大額定值。 在異常情況下，如輸出短路或輸入線路過電壓，功率開關可能被擊穿。 在這種情況下，更好的耐雪崩能力有助於提高反激式轉換器可靠性。

圖一 : 內部MOSFET的UIS特點

帶有輸入過電壓保護的FPS功率開關（FSL MRIN系列）
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