砷化鎵 (GaAs) 和異質介面雙極電晶體(Hetero-junction Bipolar Transistor, HBT)技術的結合，不但能在多元的應用上提供卓越的性能，並且由於元件較嚴謹的直流特性與射頻參數的分佈特性、較小的晶粒尺寸、較高的製作可重覆性，使得生產成本大大下降。這些特點同其他射頻積體電路相比是非常受歡迎的。

《圖一　磷化銦鎵(InGaP)HBT的結構》

砷化鋁鎵

傳統的砷化鋁鎵(AlGaAs)HBT結構比較常見。早期，這種結構裏的P＋基極區需要使用分子束磊晶MBE(molecular beam epitaxy)設備摻雜金屬元素鈹(Be)。這種技術可以提供增強的性能，並且降低製作成本。
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