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力旺攜手聯電推出新興非揮發記憶體ReRAM矽智財 (2021.11.04)
力旺電子與聯電(UMC)今日宣布，力旺電子的可變電阻式記憶體（ReRAM）矽智財已成功通過聯電40奈米認證，支援消費性與工業規格之應用。
力旺電子的ReRAM矽智財於聯電40奈米製程驗證成功，充分顯示力旺不但在傳統非揮發記憶體矽智財產品線穩居領先地位，也在新興非揮發記憶體技術研發佈局有成 |
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實現物聯網與雲端運算的新型記憶體技術 (2019.10.04)
研究指出，以 MRAM取代微控制器中的 eFlash 和 SRAM，可節省達 90% 的功耗。這些功耗與面積成本優勢，使得MRAM成為邊緣裝置的理想選擇。 |
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松下與聯華電子合作開發新一代可變電阻式記憶體量產製程 (2017.02.08)
松下電器半導體（PSCS）已與聯華電子（UMC）達成一項協議，雙方將合作開發新一代40nm 可變電阻式記憶體(ReRAM)的量產製程。
ReRAM與目前廣泛應用的快閃記憶體十分相似，是一種非揮發性記憶體 |
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如何讓晶片記憶更多？Rice大學和惠普告訴您 (2010.09.01)
有沒有另一種新的半導體技術，能夠在更短的時間內縮小晶片尺寸、又能提高儲存容量？答案正在呼之欲出。美國德州萊斯大學（Rice Univ.）的科學家們與惠普（HP）的研發團隊不約而同地，在這禮拜公佈兩項關鍵技術和合作計畫，宣佈可以克服最基本的物理限制，能夠更快速地將記憶體晶片微型化，他們認為是消費電子晶片的革命性突破 |
