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超越5G時代的射頻前端模組 (2021.01.05)
透過整合深寬比捕捉（ART）技術與奈米脊型工程，愛美科成功在300mm矽基板上成長出砷化鎵或磷化銦鎵的異質接面雙極電晶體，實現5G毫米波頻段的功率放大應用。 |
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是德科技與三安集成策略合作推出HBT、pHEMT製程設計套件 (2016.05.03)
是德科技軟體和服務可協助三安集成加速完成HBT和pHEMT製程PDK的開發製作可靠、高功率的先進pHEMT及HBT元件，縮短產品上市時間。
是德科技（Keysight）日前宣佈與中國廈門三安集成簽署合作備忘錄（MoU），雙方將以是德科技先進設計系統（ADS）軟體為基礎，共同合作開發適用於三安集成的HBT和pHEMT製程的先進製程設計套件（PDK） |
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WCDMA HBT功率放大器模組 (2007.10.08)
本文介紹一款在3mmx5mm2的緊湊型封裝中、整合有GaAs HBT MMIC PA和Si BiCMOS DC電源管理IC的WCDMA功率放大器模組。這種多合一的方案適用於手機應用。它採用一種閉環控制DC-DC降壓轉換器，讓電源管理IC能夠自我調整優化PA集極電壓，可當作輸出功率函數，從而降低後移工作的耗電量 |
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無線通訊IC製程技術探微 (2002.09.05)
無線通訊IC已成為半導體產業未來發展的重要支柱，年產量高達四億支左右的手機市場更是目前各大半導體廠商關注的重點，本文將以無線通訊射頻IC的製程技術為探討重點，藉以說明半導體製程技術在該領域的發展與趨勢 |
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三菱與尚達簽訂技轉及晶圓代工合約 (2000.10.12)
由博達投資的尚達積體電路與日本三菱電機簽定技術移轉與晶圓代工合約，尚達公司董事長葉素菲表示，日本三菱商事將投資尚達三至五％。日方代表則表示，將提供ＨＢＴ、ｐＨＥＭＴ兩種砷化鎵晶圓製程技術 |
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高平投資勝陽光電 (2000.08.18)
繼日前傳出美國通訊元件大廠科勝訊(Conexant)公司有意收購全新光電公司股權外，近期全球最大異質接面雙載子電晶體磊晶片(HBT)製造廠--美國的高平(Kopin)公司，也將參與勝陽光電公司投資 |
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穩懋將建6吋砷化鎵晶圓代工廠 (2000.06.08)
全球首座6吋砷化鎵晶圓代工廠即將在國內誕生。穩懋半導體將在華亞科技園區興建6吋砷化鎵之專業代工廠，該廠不僅為國內第一座、更為全球第六家可提供以6吋晶圓生產砷化鎵晶片技術的廠商，預期將可大幅拉近我國在發展微波通訊晶片製造技術與國際大廠間的距離，並將使我國晶圓代工產業朝向高頻率通訊晶片領域推進 |
總的來說，一系列與時俱進的Bus規格標準，便是不斷提升在電腦主機與周邊設備之間，資料傳輸速度、容量與品質的應用過程。下面我們就簡介幾個重要的匯流排應用規格標準。
