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CTIMES / 鐵電性隨機存取記憶體
科技
典故
微軟的崛起

微軟於1975年,由比爾蓋茲和好友保羅艾倫共同成立,1981年,比爾蓋茲完成的MS-DOS 第一版與IBM生產的第一部個人電腦同步推出,藉由MS-DOS的成功,微軟陸續推出了很多廣受歡迎的軟體,除了注重產品間的相容性,也在軟體開發上重視長期目標的策略, 這就是微軟能持續保有市場的原因。
非揮發性FRAM記憶技術原理及其應用初探 (2007.10.26)
FRAM是以RAM為基礎、運用鐵電效應、並使用浮動閘技術作為一個儲存裝置。鐵電結構是基本的RAM設計,電路讀取和寫入簡單而容易。FRAM不需要定期更新,即使在電源消失的情況下,仍能儲存資料
美國賓州大學完成高密度FeRAM技術研究成果 (2007.10.24)
美國賓夕法尼亞大學結合化學以及機械工程的教授團隊,近期在奈米多尺度力學領域的研究有了重要的突破。10月中他們宣布完成了鐵電域壁(domain walls,亦稱疇壁)的多尺度模型(multi-scale modeling),並提出新的鐵電域壁移動理論,他們發現藉由可滑移的壁,能夠分隔鐵電域壁的磁區,藉由這項技術將可實現高密度的鐵電記憶體
非揮發性記憶體的競合市場 (2007.10.24)
記憶體本身就具有通用與中介的性質,所以發展出來的各類記憶體元件,多能通用於不同系統之間。新一代的記憶體為了更通用之故,所發展的都是非揮發性的記憶體,這樣才能既做為系統隨機存取之用,又能組成各類的儲存裝置,例如嵌入在可攜式裝置中的儲存容量、彈性應用的記憶卡或固態硬碟等
韓商將FRAM應用於DSP車用音響平台中 (2007.08.03)
非揮發性鐵電隨機存取記憶體(FRAM)和整合半導體產品開發商及供應商Ramtron International Corporation宣佈,韓國的Daesung-Eltec公司已將 FRAM記憶體設計於其以數位信號處理(DSP)為基礎的汽車音響平台中
富士通全新2Mbit FRAM元件正式量產 (2007.06.22)
香港商富士通微電子有限公司台灣分公司宣佈其2 Mbit FRAM記憶體晶片已開始供貨上市,為目前全球可量產的最大容量FRAM元件。富士通的MB85R2001和MB5R2002晶片內建非揮發性記憶體
淺述嵌入式FRAM記憶體的MCU技術 (2007.05.16)
鐵電記憶體(FRAM)現正成為許多設計工程師所喜歡的非揮發性記憶體。隨著記憶體技術漸趨成熟,已由獨立的形式轉變為嵌入式,市場對嵌入式FRAM的興趣也越來越濃,而本文將描述嵌入式FRAM 的應用實例
工研院與IEEE合辦之VLSI-DAT在新竹揭幕 (2007.04.25)
由工業技術研究院(ITRI)、國際電機電子工程師學會(IEEE)所共同舉辦國際超大型積體電路設計、自動化與測試(VLSI-DAT 2007)研討會,今起(25日)一連三天在新竹國賓飯店舉行
衝刺亞洲市場 Ramtron公布亞太區發展策略 (2007.04.02)
非揮發性鐵電隨機存取記憶體(FRAM)及整合半導體產品供應商Ramtron International,宣佈其在亞太區的半導體業務及其持續性發展策略。Ramtron並展示了第一款4Mb的FRAM記憶體,此技術將成為該公司未來在亞太區發展的成敗關鍵
Ramtron發表新一代FRAM記憶體 (2007.03.30)
Ramtron發表業界第一款400萬位元的FRAM記憶體,此並為密度最高的FRAM產品,容量為既有FRAM記憶體的四倍。FM22L16採用44接腳、薄型小尺寸塑膠(TSOP)封裝的3V、4Mb並列式非揮發性RAM,具備高存取速度、幾乎無上限的讀/寫次數、以及低功耗等優點
Ramtron推出+125℃ FRAM記憶體FM25C160 (2007.03.05)
非揮發性鐵電記憶體(FRAM)和整合半導體產品開發商及供應商Ramtron International宣佈推出首款 +125℃ FRAM記憶體 FM25C160。該款5V 16Kb 的串列SPI介面 FRAM可滿足Grade 1和AEC-Q100規範的要求,可在 -40℃到 +125℃ 的整個汽車溫度範圍內工作
飛思卡爾MRAM元件獲創新類獎項 (2007.03.03)
飛思卡爾其4百萬位元MRAM元件最近榮獲In-Stat的Microprocessor Report年度「創新」類獎項。該元件在同年內也獲得了Electronic Product的「年度產品大獎」、同時還入圍了EDN的創新大獎及EE Times的ACE大獎等獎項的決選
Ramtron為Versa 8051 MCU推出USB介面 (2007.02.27)
非揮發性鐵電記憶體(FRAM)和整合半導體產品開發商及供應商Ramtron International宣佈,針對其Versa 8051微控制器推出通用串列匯流排(USB)介面的編程/除錯開發工具。 以USB為基礎的JTAG介面VJTAG-USB將與VersaKit-30xx開發板配套發售
旺宏、IBM與奇夢達成功開發PCM儲存技術 (2006.12.12)
IBM、Qimonda和台灣的旺宏電子(Macronix)共同聯合成功開發出相變化記憶體(Phase Change Memory;PCM)的儲存技術。 PCM被諸多分析機構認為將嚴重挑戰快閃記憶體和硬碟的地位,未來PCM將被認為可應用在iPod和數位相機上,儲存品質更佳的歌曲、圖片和其他資料
Ramtron全新單晶片解決方案採用微型封裝 (2006.11.03)
非揮發性鐵電記憶體(FRAM)和整合半導體產品供應商Ramtron International公司,宣佈推出64Kb、3V FRAM-Enhanced Processor Companion產品FM3130,在微型封裝中將非揮發性鐵電RAM和整合式即時時鐘/日曆(RTC)兩者的效益結合在一起
Ramtron擴大其串列記憶體產品系列陣容 (2006.09.13)
非揮發性鐵電記憶體(FRAM)和整合半導體產品供應商Ramtron International公司,擴充其串列記憶體產品系列,推出帶有工業標準2線串列介面的五十萬位元非揮發性FRAM產品FM24C512,以支援需要大容量資料收集的應用,如市電計量和即時配置儲存服務
Ramtron FRAM強化HYUNDAI的智慧型安全氣囊 (2006.06.01)
非揮發性鐵電隨機存取記憶體(FRAM)和整合半導體產品開發及供應商Ramtron International公司宣佈,韓國Hyundai Autonet公司已選擇了其非揮發性FRAM記憶體技術,用於該公司的汽車智慧型安全氣囊和乘客感測器中
M-Systems公佈第二季財報 (2003.07.22)
M-Systems 22日發布該公司第二季財務報告為2,560萬美元,較同年第一季的2,210萬美元成長了16%,較去年第二季的1,470萬美元成長74%。M-Systems在今年6月30日為止的這一季,提報40萬美元的淨損(每股0.01美元),相較於同年第一季淨損為70萬美元(每股0.02美元),去年同季淨損為140萬美元(每股0.05美元)
三星STB採用M-Systems之DiskOnChip (2003.06.16)
M-Systems 16日宣布,三星電子(Samsung)已採用該公司的DiskOnChip,做為SMT F240 STB視訊轉頻器的內建記憶體,該視訊轉頻器(STB)已經透過Yahoo!BB在日本全國銷售。目前量產的三星Linux IP SMT F240,能傳遞多種互動式服務,包括數位廣播、EPG(電子節目表)、NVOD(半隨選視訊)、VOD(隨選視訊)、上網及電子郵件服務
TI利用標準CMOS製程生產64 Mbit嵌入式FRAM記憶體 (2002.11.11)
德州儀器(TI)日前宣佈,已成功利用標準CMOS邏輯製程技術生產64 Mbit鐵電隨機存取記憶體(FRAM),證明這項技術可在各種不同應用中,做為嵌入式快閃記憶體和嵌入式DRAM的低成本替代元件
M-Systems與Accelerated攜手 (2002.10.02)
M-Systems日前表示,該公司與隸屬Mentor嵌入式系統部門的Accelerated Technology(AT),因應行動通訊的趨勢,攜手合作以德州儀器主導的行動通訊平台為基礎來進行大量資料儲存。在此合作案中

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