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CTIMES / 快閃記憶體
科技
典故
簡介UPS不斷電系統

倘若供應電腦的電源發生不正常中斷或是電流不穩定時,不斷電系統UPS(Uninterruptible Power Supply)便擔負起暫時緊急供應電源的功能,使電腦不會因停電而被迫流失資料,或者造成系統的毀損。
Spansion與台積電簽署MirrorBit技術合作協議 (2007.05.16)
全球純快閃記憶體解決方案供應商Spansion與台灣積體電路製造股份有限公司宣布,雙方已簽署一項合作協議,共同開發MirrorBit技術在40nm及更先進製程下的變異處理技術(Variations)
微軟與SanDisk合作開發快閃記憶體硬碟 (2007.05.15)
外電消息報導,微軟(Microsoft)和SanDisk正在合作研發一種新的快閃記憶體硬碟,能讓使用者把個人化的電腦系統及應用程式,帶到任何一部Windows電腦中使用。 據了解,此合作計畫將生產一種替代SanDisk的U3智慧儲存的技術
財經專家認為Flash取代硬碟說法言過其實 (2007.05.14)
外電消息報導,美國財經雜誌《巴倫週刊》日前指出,電腦硬碟將被快閃記憶體取代的說法有點言過其實。 由於全球PC市場的增長速度減緩,加上全球兩家硬碟大廠希捷(Seagates)和西部數據(WD)的股價均出現下滑的現象,因此許多投資人均不看好硬碟的發展
2009年將有半數NB採用NAND Flash儲存資料 (2007.05.04)
根據一份由iSuppli所調查的最新研究報告指出,到了2009年第四季,超過一半的筆記型電腦將會內建NAND快閃記憶體作為資料儲存介面,而這也位NAND快閃記憶體的市場發展前景注入一劑強心針
2009年全球60%NB將以快閃記憶體取代硬碟 (2007.05.03)
外電消息報導,國際市場研究機構iSuppli指出,至2009年第四季時,全球將有60%的筆記型電腦將採用快閃記憶體為主要的儲存媒介。 報導中指出,iSuppli預計至2009年第四季時,全球將有2400萬部筆記型電腦使用快閃記憶體進行儲存作業,約佔全球筆記型電腦總銷售量的60%
三星51奈米製程NAND Flash導入量產 (2007.04.30)
三星(Samsung)計畫將以NAND Flash 取代目前傳統用微型硬碟裝置,從2006 年下半年開始,便發展以50奈米製程生產製造16 Gb的NAND Flash。三星電子日前表示,採用51奈米製程的16Gb NAND Flash已導入量產
慧榮營收創首季新高 (2007.04.30)
慧榮科技公佈2007年第一季營收,達新台幣11.72億元(US$35.5million),與去年同期相較成長107%,與上季幾乎持平。第一季毛利率為53.5%,與去年第四季相較持平。營業利益率則從去年第四季25.4%增加至27.8%
SanDisk 與奇夢達共同開發行動儲存解決方案 (2007.04.27)
SanDisk與奇夢達達成協議,將運用SanDisk的NAND快閃記憶體與控制晶片,以及Qimonda的低功耗行動DRAM,聯合開發與製造多重晶片(Multichip;MCP)。這項合作是針對手機市場對於高容量、高度密集資料處理迅速成長的需求所設計
戴爾推出容量達32GB的液態快閃記體硬碟電腦 (2007.04.26)
外電消息報導,戴爾(Dell)於週三(4/25)推出了兩款使用快閃記憶體為儲存硬碟的筆記型電腦(Notebook),其儲存容量高達32GB。目前該硬碟只在美國市場推出,預計未來將會率續在歐洲及亞洲市場銷售
工研院與IEEE合辦之VLSI-DAT在新竹揭幕 (2007.04.25)
由工業技術研究院(ITRI)、國際電機電子工程師學會(IEEE)所共同舉辦國際超大型積體電路設計、自動化與測試(VLSI-DAT 2007)研討會,今起(25日)一連三天在新竹國賓飯店舉行
因應市場競爭 Spansion將提高90nm產品出貨量 (2007.04.23)
Spansion公佈了2007年第1季(1~3月)的財務結算報告。雖然銷售金額比起2006年同期增加12%,達到6億2780萬美元,但營業虧損卻幾乎達到2006年同期的兩倍,約為7040萬美元大
韓系大廠將NAND Flash移至海外生產 (2007.04.19)
根據外電報導,海力士、三星電子計畫將分別於今年第3季、第4季將NAND Flash移至中國無錫廠及美國奧斯汀廠生產。 三星電子計畫將NAND Flash移至美國奧斯汀廠生產,以改善與當地國的貿易關係,並做好當地客戶管理
NAND記憶體價格可望回升 東芝看好海外市場 (2007.04.16)
NAND快閃記憶體晶片的價格一直在下跌,但是受到市場需求可能進一步擴大的影響,其價格可望回升。東芝表示,未來的業績,尤其是NAND快閃記憶體晶片業務。 在今後幾年,隨著更多攜帶型設備的出現,NAND快閃記憶體晶片市場的年增長率將達到24%左右
Hynix宣布首款Fusion Memory產品已可量產 (2007.04.14)
南韓海力士半導體(Hynix Semiconductor)正式發表首款DOC(Disk On Chip)H3產品並開始量產。該公司宣佈計劃到2010年能將該產品銷售額提升到10億美元。而Hynix的競爭對手包括三星電子的One NAND產品正在瓜分市場
Spansion發表革命性的MirrorBit Eclipse架構 (2007.04.11)
純快閃記憶體解決方案供應商Spansion發表了該公司革命性的MirrorBit Eclipse架構。該架構將MirrorBit NOR、ORNAND和Quad快閃記憶體整合在單一裸片上。MirrorBit Eclipse架構與現有晶片組完全相容,可快速應用於多功能手機和多媒體可攜式設備,以提升其性能並且降低成本
2006年手機快閃記憶體排名Spansion市場第一 (2007.04.09)
美國iSuppli調查公司公佈了2006年手機快閃記憶體儲存裝置的市佔率排名。Spansion超過2005年第一名的Intel,位居2006年榜首,比2005年成長4.1%,市佔率為29.9%。Spansion的手機用NOR快閃記憶體銷售額比2005年成長35%,達到18億美元,成長速度比起市場整體成長速度16.4%還要快上兩倍
有面子不一定有裡子 Spansion NOR市佔第一 (2007.04.04)
iSuppli表示,2006年Spansion超過英特爾(Intel)在NOR快閃記憶體市場成為龍頭老大。2006年全球NOR快閃記憶體市場增長了16.4%,收入達到61億美元。在進入手機行業的銷售中,Spansion的增長速度超過了整個市場的增幅,銷售收入同比增長了35%達到18億美元,奪取了29.9%的市佔率排名第一
三星新款NAND記憶體具備更高靈活性 (2007.04.03)
南韓三星電子(Samsung Electronics)將於本月起推出新款的NAND快閃記憶體Flex-OneNAND。該款快閃記憶體的特點在於設備廠商可根據應用的不同,自行設定成本與性能的平衡點。 在該款NAND快閃記憶體的記憶單元中,2bit/單元的多值單元(Multi-Level Cell;MLC)與1bit/單元的SLC的比率可自由設定
3G行動音樂持續帶動2006年第四季換機風 (2007.04.02)
根據IDC (國際數據資訊) 追蹤季報研究顯示,2006年第四季台灣行動電話市場出貨量持續攀升,出貨量超過一百八十萬台,相較於上一季成長約1.3%,相較於去年同期成長更達8.2%
三星社長黃昌圭來台揭櫫行動新世代策略 (2007.03.27)
第四屆Samsung Mobile Solution Forum今(27日)在台北召開,三星電子(Samsung Electronics)半導體總括社長黃昌圭來台與媒體舉行記者會,黃昌圭表示,目前Samsung在整個行動產業的發展方向,是以加速整合研發單一晶片的解決方案為目標,設計出多樣化輕薄短小的行動裝置產品

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