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CTIMES / Transphorm
科技
典故
Internet的起源

组成Internet的两大组件,一是作为传达内容的本体—超文本,另一个是传输的骨干—网络,网际骨干可追溯到1968年的美俄冷战时期,当时美国国防部的DARPA计划发展出ARPANET,网页结构则是由超文件(Hypertext)演变而来。
Transphorm与伟诠电子合作推出新款整合型氮化??器件 (2024.04.25)
全球氮化鎵(GaN)功率半导体供应商Transphorm与适配器USB PD控制器IC供应商伟诠电子Weltrend Semiconductor)今(25)日推出两款新型系统级封装氮化鎵器件(SiP),与去年推出的伟诠电子旗舰氮化鎵 SiP组成首个基於 Transphorm SuperGaN平台的系统级封装氮化鎵产品系列
Transphorm新型SuperGaN器件采用4引脚TO-247封装 (2024.01.18)
全球氮化??(GaN)功率半导体供应商Transphorm推出两款采用4引脚TO-247封装的新型SuperGaN器件TP65H035G4YS和TP65H050G4YS FET,各别具有35毫欧和50毫欧的导通电阻,并配有一个开尔文源极端子,以更低的能量损耗为客户实现更全面的开关功能,因应高功率伺服器、可再生能源、工业电力转换领域的需求
Transphorm与伟诠电子合作开发氮化??系统级封装元件 (2023.12.28)
Transphorm与Weltrend Semiconductor(伟诠电子)合作推出100瓦USB-C PD电源适配器叁考设计。该叁考设计电路采用两家公司合作开发的系统级封装(SiP)SuperGaN电源控制晶片WT7162RHUG24A,在准谐振反激式(QRF)拓扑中可实现92.2%的效率
Transphorm两款全新叁考设计应用於两轮和三轮电动车电池充电器 (2023.12.21)
全球氮化??(GaN)功率半导体供应商Transphorm推出两款针对电动车充电应用的全新叁考设计。300W和600W??流/??压(CC/CV)电池充电器采用Transphorm的70毫欧和150毫欧SuperGaN元件,以成本实现高效的AC-DC 功率转换和高功率密度
Transphorm与Allegro合作提升大功率应用中氮化??电源系统性能 (2023.12.08)
全球氮化??(GaN)功率半导体供应商Transphorm与为运动控制和节能系统提供电源及感测半导体技术的Allegro MicroSystems合作,使用Transphorm的SuperGaN场效应电晶体和Allegro的AHV85110隔离式栅极驱动器,针对大功率应用扩展氮化??电源系统设计
Transphorm新款TOLT封装形式的SuperGaN FET提供更灵活的热管理 (2023.11.29)
Transphorm继近期推出三款新型TOLL FET後,推出一款TOLT封装形式的SuperGaN FET,新品TP65H070G4RS电晶体的导通电阻为72毫欧,为采用JEDEC标准(MO-332)TOLT封装的顶部散热型表面贴装氮化??元件
Transphorm新三款TOLL封装SuperGaN FET 支援高功率能耗AI应用 (2023.11.07)
全球氮化??(GaN)功率半导体供应商Transphorm公司近日推出三款TOLL封装的SuperGaN FET,导通电阻分别为35、50和72毫欧。Transphorm的TOLL封装配置采用行业标准,可作为任何使用e-mode TOLL方案的直接替代元件
Transphorm最新技术白皮书: 常闭型D-Mode与增强型E-Mode氮化??电晶体平台关键优势 (2023.10.19)
氮化??功率半导体产品的先锋企业Transphorm今(19)日发布《Normally-off D-Mode 氮化??电晶体的根本优势》最新白皮书。该技术白皮书科普了共源共栅 (常闭) d-mode氮化??平台固有的优势
Transphorm氮化??元件助力DAH Solar微型逆变器光伏系统 (2023.10.12)
世界首个整合型光伏(PV)系统采用Transphorm氮化??平台,DAH Solar是安徽大恒新能源技术公司子公司。该整合型光伏系统已应用在大恒能源的最新SolarUnit 产品。DAH Solar认为系统中所使用的Transphorm的GaN FET元件,能够生产出更小、更轻、更可靠的太阳能电池板系统,同时还能以更低的能耗提供更高的总发电量,关键在於使用Transphorm的功率元件
Transphorm推出新款TOLL FET 可支援高功率AI应用 (2023.10.11)
Transphorm推出三款采用TOLL封装的SuperGaN氮化??场效应管(FET),导通电阻分别为35、50和72毫欧姆。Transphorm的TOLL封装配置符合业界标准,意即SuperGaN TOLL FET可直接替代任何E模式TOLL解决方案
Transphorm发布首款1200伏GaN-on-Sapphire器件的模拟模型 (2023.06.19)
全球高可靠性、高性能氮化??(GaN)电源转换产品供应商Transphorm推出新款1200伏功率管模拟模型及初始规格书。TP120H070WS功率管是迄今业界可见推出的唯一一款1200伏GaN-on-Sapphire功率半导体
Transphorm新款SuperGaN FET驱动器解决方案符合中低功率应用 (2023.06.16)
全球氮化??(GaN)功率转换产品供应商Transphorm 发布一款高性能、低成本的驱动器解决方案。这款设计方案针对中低功率的应用,适用於LED照明、充电、微型逆变器、UPS和电竞电脑,强化公司在此30亿美元电力市场客户的价值主张
Transphorm携手伟诠推出GaN SiP电源控制晶片 (2023.03.22)
Transphorm, Inc.与伟诠电子(Weltrend Semiconductor Inc.)今天宣布双方合作推出首款系统级封装(SiP)的氮化??电源控制晶片。 伟诠电子新推出的WT7162RHUG24A电源转换器控制晶片,设计用於为智慧手机、平板电脑、笔记型电脑和其它智慧设备充电的45至100瓦USB-C PD电源适配器
Transphorm 240瓦电源适配器叁考设计使用TO-220封装氮化??功率管 (2023.01.13)
氮化??(GAN)电源转换产品供应商Transphorm公司推出新的240瓦电源适配器叁考设计。TDAIO-TPH-ON-240W-RD设计方案采用CCM升压PFC+半桥LLC拓扑结构,功率密度高达30W/in3,最大功率转换效率超过96%
Transphorm按功率段发布氮化??功率管可靠性评估资料 (2022.12.16)
Transphorm发布了针对其氮化??功率管的最新可靠性评估资料。评估可靠性使用的失效率(FIT)是分析客户现场应用中失效的器件数。迄今为止,基於超过850亿小时的现场应用资料,该公司全系列产品的平均失效率(FIT)小於0.1
飞宏新款65W配接器采用Transphorm氮化??技术 (2022.08.02)
全球电源产品和电动汽车充电站供应商飞宏(Phihong)新推出65W 2C1A USB PD配接器,其中采用Transphorm公司的氮化??(GaN)技术。这款配接器采用Transphorm的SuperGaN第四代技术,这是一种氮化??场效应管(FET)平台,具有系统设计简单,元件数量少,高性能,高可靠等优点
Transphorm推出叁考设计 加速氮化??电源配接器开发 (2022.06.27)
Transphorm推出七款叁考设计,旨在加快采用氮化??的USB-C PD电源配接器的研发。该叁考设计组合包括广泛的开放式框架设计选项,涵盖多种拓扑结构、输出和功率(45W至140W)
Nayuta LEMURIA锂离子电池电源采用Transphorm氮化??FET (2022.06.06)
医疗应用必须具有高可靠性、准确性,电源电流的稳定及顺畅对其效能有重要的影响。全球高可靠性、高性能的氮化??(GaN)电源转换产品供应商Transphorm宣布,日本Nayuta Power Energy公司在其LEMURIA交流逆变器ME3000中,采用Transphorm的氮化??场效应管(FET),从而在无风扇系统中达到99%效率

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1 Transphorm与伟诠电子合作开发氮化??系统级封装元件
2 Transphorm两款全新叁考设计应用於两轮和三轮电动车电池充电器
3 Transphorm与Allegro合作提升大功率应用中氮化??电源系统性能

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