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CTIMES / 崩潰電壓
科技
典故		 制定无线传输规范的组织 - ITU

ITU最主要的工作就是制定无线传输设施的相关规范，例如手机、飞航通讯、航海通讯、卫星通讯系统、广播电台和电视台等无线传输设施，
意法半导体推出1500V超接面功率MOSFET让电源应用环保又安全 (2015.11.09)
意法半导体（STMicroelectronics，ST）的新系列功率MOSFET让电源设计人员实现产品效能最大化，同时提升工作稳健性及安全系数。 MDmeshTM K5产品是拥有超接面技术优势及1500V漏极-源极（drain-to-source）崩溃电压（breakdown voltage）的电晶体，并已获亚洲及欧美主要客户导入于其重要设计中
Fairchild新型SuperFET II MOSFET系列提供最低通导电阻与广泛封装范围 (2015.03.10)
高效能电源半导体解决方案供货商Fairchild推出800V SuperFET II MOSFET 系列，具备广泛的封装选项以及最低的通导电阻（Rdson）与输出电容（Coss）。全新产品阵容协助设计人员针对需要600V / 650V以上的崩溃电压的高效能解决方案，改善效率、成本效益与可靠度，更减少了组件数量，精简机板空间，为设计人员带来更大的弹性
意法半导体新650V超接面MOSFET提升安全系数 (2014.12.02)
意法半导体（STMicroelectronics；ST）的最新超接面（super-junction）功率MOSFET可满足家电、低功耗照明以及太阳能微逆变器对电源能效的要求，同时提供更高的可靠性和最新且可满足高功率密度的封装选项

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