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CTIMES / 射頻開關
科技
典故		 电子工业改革与创新者 - IEEE

IEEE的创立，是在于主导电子学的地位、促进电子学的创新，与提供会员实质上的协助。
英飞凌 Bulk-CMOS 射频开关产量逾50亿组 (2018.07.31)
英飞凌科技股份有限公司於 2008 年开始量产第一个 Bulk-CMOS 射频 (RF) 开关。接着在 5G 时代的曙光中，英飞凌精良的产品组合与产品获得全球无线市场创新业者前所未有的欢迎
东芝推出低插入损耗的智慧型手机射频开关SOI制程 (2015.11.25)
东芝公司（Toshiba）半导体与储存产品公司研发新一代TarfSOI（东芝先进的射频绝缘矽（SOI））制程—TaRF8，该制程针对射频（RF）开关应用进行最佳化，实现低插入损耗。采用新制程制造的SP12T射频开关IC适用于智慧型手机，样品出货将于2016年1月启动
IDT推出高隔离性与线性射频开关 (2014.11.13)
IDT推出高隔离性与线性射频开关 IDT公司日前推出了F2912开关，此开关为半导体公司首次规划的新射频（RF）开关产品系列。F2912具有先进的低插入损耗、高隔离度及线性等整合特色，是在进行微波回载及前载、检测设备、有线电视头端，WiMAX射频、无线系统与一般开关应用基地台（2G、3G与4G）等工作时的最佳选择

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