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电子高峰会:晶圆制程挑战多 Tela绝招走江湖 (2010.05.07)
当晶圆制程从45奈米进入28奈米甚至更微型化的阶段时,其所需面对的问题则更为复杂,在实体架构设计(physical design)、DFM(design for manufacturing)、光学微影技术(Lithography)和漏电流等制程上的挑战更为严峻

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