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东芝推出800V超结N沟道功率新MOSFET (2017.01.23)
东芝公司(Toshiba)旗下储存与电子元件解决方案公司宣布针对高效率电源推出具备改进的低导通电阻、高速开关的800V超结N沟道功率MOSFET。 「DTMOS IV系列」的八款新MOSFET利用超结结构，与东芝之前的「π-MOSVIII系列」相比，其可将其单位面积导通电阻(RON x A)降低近79% |
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东芝全新MOSFET系列产品实现低导通电阻与高速表现 (2016.12.23)
东芝半导体(Toshiba)推出全新U-MOS九代低电压N通道功率MOSFET 40V与45V系列产品，其具备低导通电阻和高速之优良表现，U-MOS9系列MOSFET产品阵容提供更多样化产品选择，以满足制造商各式需求 |
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英飞凌新Power MOSFET实现体积更轻巧耐用的电器产品 (2015.09.01)
【德国慕尼黑讯】DIY工具，如无线电钻与电锯应同时具备便利与耐用性。因此，这类应用所采用的电子元件必须具备省空间及坚固耐用的特性。英飞凌科技(Infineon)扩增StrongIRFETPower MOSFET系列产品，提供符合上述需求的解决方案 |
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Diodes MOSFET H桥节省50%占位面积 (2015.02.26)
Diodes公司推出一对MOSFET H桥，DMHC4035LSD和DMHC3025LSD。产品透过减少组件数量及缩减50%的印刷电路板占位面积，简化马达驱动和电感无线充电电路。40V额定值H桥DMHC4035LSD旨在满足车用马达驱动应用的要求；30V额定值H桥DMHC3025LSD则适合12V单相位风扇应用 |
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德州仪器推出NexFET N信道功率MOSFET实现低电阻功效 (2015.01.22)
采用5公厘x 6公厘QFN封装并具极低Rdson的25 V和30 V装置
德州仪器（TI）推出NexFET产品线的11款新型N信道功率MOSFET，包括拥有低导通电阻（Rdson）且采用QFN封装的 25 V CSD16570Q5B和30 V CSD17570Q5B，其适合热插入和ORing应用 |
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Vishay发表新型20V P信道第三代MOSFET (2009.03.10)
Vishay发表采用其新型p信道TrenchFET第三代技术的首款组件，该20V p信道MOSFET采用SO-8封装，具最低的导通电阻。
新型Si7137DP具有1.9mΩ（在10V时）、2.5mΩ（在4.5V时）和3.9mΩ（在 2.5V时）的超低导通电阻 |
ITU最主要的工作就是制定无线传输设施的相关规范，例如手机、飞航通讯、航海通讯、卫星通讯系统、广播电台和电视台等无线传输设施，
