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CTIMES / Soitec
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链接计算机与接口设备的高速公路——IEEE1394

IEEE1394是一种能让计算机与接口设备之间相互链接沟通的共同接口标准。如此迅速有效率的传输速度,便时常应用在连接讯号传输密度高、传输量大的接口设备。
CEA、Soitec、GF和ST联合制定下一代FD-SOI技术发展规划 (2022.04.26)
CEA、Soitec、格罗方德(GlobalFoundries)和意法半导体宣布一项新合作协定,四家公司计画联合制定产业之下一代FD-SOI技术发展规划。半导体元件和FD-SOI技术创新对法国和欧盟以及全球客户具有策略价值
ST与Soitec合作开发新一代CMOS影像感测技术 (2009.05.14)
意法半导体与工程基板供货商Soitec,宣布双方共同签署一项独家合作协议。根据此协议,两家公司将合作开发300微米晶圆级背光(BSI,Backside-illumination)技术,为消费性电子产品打造新一代影像传感器
提供游戏机更强处理能力的SOI技术 (2007.02.27)
新一代的游戏系统需要最复杂的芯片(微处理器),且能在合理的价格下,拥有最高效能与省电的功能。SOI针对这些产业的需求,提供了最佳的解答。这就是为什么SOI会被使用在Xbox 360、 Nintendo Wii及PS3等最先进的游戏主机当中,并且也将快速被广泛使用在游戏之外的其他应用
以Smart Cut技术站稳全球薄型SOI市场 (2006.09.06)
绝缘层上覆硅(Silicon on Insulator;SOI)是一种基板技术。传统的硅晶圆正逐渐被含有三层结构的工程基板所取代,采用以SOI为基板的设计,芯片制造商可在半导体制程中,继续使用传统的制程与设备
以Smart Cut技术站稳全球薄型SOI市场 (2006.08.25)
绝缘层上覆硅(Silicon on Insulator;SOI)是一种基板技术。传统的硅晶圆正逐渐被含有三层结构的工程基板所取代,采用以SOI为基板的设计,芯片制造商可在半导体制程中,继续使用传统的制程与设备
Soitec宣布全球策略性拓展计画 (2006.07.16)
绝缘层上覆矽(SOI)晶圆与其它半导体生产用工程基板制造商Soitec(Euronext Paris),近日宣布其最新扩充发展策略,目的在于因应全球对绝缘层上覆矽(SOI)与其他工​​程基板不断增加的需求
Soitec宣布全球策略性拓展计画 (2006.07.13)
绝缘层上覆硅(SOI)晶圆与其它半导体生产用工程基板的领导制造商Soitec(Euronext Paris),今天宣布其最新扩充发展策略,目的在于因应全球对绝缘层上覆硅(SOI)与其他工程基板不断增加的需求
Soitec发表首款应变绝缘硅基板商业产品 (2006.07.12)
绝缘层上覆硅(SOI)晶圆与其它半导体生产用工程基板制造商Soitec(Euronext Paris),12日宣布其应用于65奈米线宽以下制程的应变绝缘硅(sSOI)晶圆已经上市,并成为业界首款因应未来需求而量产的商业基板
Soitec与SEZ合作加速应变绝缘硅基板的商业化时程 (2005.10.18)
Soitec Group与SEZ Group日前宣布,双方已着手计划推动联合开发计划(JDP),藉以加快新一代应变绝缘硅(sSOI)基板的商业化时程。在联合开发计划中,两家公司将运用Soitec在工程基板的技术,以及SEZ在单晶圆、湿式处理技术之领先优势,开发新型湿式蚀刻制程,提高在sSOI制程中去除锗元素的作业效率
应材与Soitec将共同研发锗基板技术 (2004.04.21)
美商应材宣布与法国业者Soitec策略联盟,双方将共同研发先进的锗绝缘基板和相关的锗基板制程技术,并在45奈米及以下的技术,增进晶体管的性能。 应材表示,锗基板材料在未来的高速逻辑应用上前景可期
Soitec与ASM International合作研发应变绝缘硅 (2003.07.25)
Soitec与ASM International N.V.宣布在应变绝缘硅(sSOI)的合作计划上达成一项重要的里程碑,此项合作计划成功在65奈米环境试产第一代应变硅晶圆。Soitec与ASM自今年5月起开始合作,此项计划目前着重于微调sSOI制程以达基板效能优化,提高生产力及成本效率,进而加快完全商业化8吋应变SOI晶圆及最终12吋晶圆产品的上市时程

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