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CTIMES / 南亞科技
科技
典故
因特网联合公会 - W3C

在1994年10月,网络的创造者Tim Berner-Lee,在麻省理工学院的计算机科学实验室里,成立了因特网联合公会,也就是现在的World Wide Web Consortium。
台面板和DRAM业绩拨云见日 (2013.05.28)
在液晶面板和半导体内存DRAM两大领域占高市占率的台湾和韩国企业,终于拨云见日,业绩有了明显的回复。 台湾的面板二虎:群创和友达,加上韩国三星电子和LG Display,四家台韩企业在全世界所供应的面板数量合计超过八成
第三季DRAM持续下滑 较去年衰退58.6% (2008.10.08)
外电消息报导,市场研究公司Gartner日前公布一份最新的统计数据表示,Q3 DRAM的价格较Q2下跌了36.2%,与去年同期相比下跌了58.6%。Gartner也指出,08年Q3 DRAM的价格每周都在下滑
南亚与富士通和解 双方签订专利授权协议 (2008.09.05)
富士通与南亚科技的DRAM专利侵权纠纷已经达成和解,双方并于2008年9月初签订了专利授权协议。 根据协议内容,富士通将撤销要求禁止进口南亚科技DRAM产品的诉讼,并在美国终止对南亚科技的法律诉讼
南亚科技Elixir DDR3-1333荣获2008年台湾精品奖 (2008.07.23)
通路品牌Elixir所推出之Elixir DDR3-1333桌上型内存模块,再度荣获2008年台湾精品奖。继2007年Elixir DDR2以卓越的质量及高性能表现荣获第15届台湾精品奖,今年Elixir更以高效能、高容量及低耗电量的Elixir DDR3-1333蝉连台湾精品奖
美光将与南亚科技合作50奈米DRAM的设计与开发 (2008.04.09)
美光科技(Micron Technology)和南亚科技(Nanya Technology)共同合资成立了50奈米级的DRAM设计开发公司。据了解,两公司已经交换备忘录,在往后几个月内将正式签定合作契约,双方未来将共同进行DRAM的设计与开发,以提高投资效率并强化市场竞争力
南亚科技DDR3通过英特尔Intel Centrino 2认证 (2008.04.02)
南亚科技宣布其1066MHz DDR3 So-DIMM笔记型记忆模块已获得Intel Centrino 2 行动运算平台认证。 南亚科技全球业务营销副总经理暨发言人白培霖博士表示:「南亚科技低耗电DDR3笔记本电脑专用内存能获得英特尔认证,足以证明南科DDR3优异的运算及绘图表现,已为日益成长的笔记本电脑市场提供最佳的内存解决方案
美光与南亚科技签约合作开发50奈米DRAM技术 (2008.03.05)
美光科技(Micron Technology)和南亚科技(Nanya Technology)宣布,共同合资成立了50nm级的DRAM设计开发公司。两公司已经交换备忘录,在往后的数个月内将正式签定合作契约。双方将共同进行设计开发DRAM产品,以提高投资效率并强化市场竞争力
奇梦达1、2GB省电DDR3 SO-DIMMs开始出货 (2008.01.28)
奇梦达公司宣布1GB和2GB的DDR3 SO-DIMM内存模块(Double Data Rate 3 Small Outline Dual In-line Memory Modules)的样品开始出货给主要客户,以布局次世代的笔记本电脑市场。奇梦达将其最新的DDR3 SO-DIMMs优化,提供高度的省电功能
广颖电通推出独家代理之南亚高容量内存模块 (2007.12.19)
国内闪存厂商广颖电通(Silicon Power),宣布推出独家代理之台湾区南亚科技Elixir品牌内存—Elixir DDR2 800 Unbuffered DIMM 2GB高容量内存模块。广颖电通独家代理之南亚Elixir DDR2-800 Unbuffered DIMM 2GB内存模块使用16颗先进FBGA(Fine-Pitch Ball Grid Array)封装制造之128Mx8颗粒,提供良好的散热性能以确保运作质量
微软软件开发质量优化策略研讨会 (2007.11.12)
ALM (Application Lifecycle Management) 就是软件开发生命周期管理方法,必须以适当的工具配合流程,从软件架构设计、程序代码撰写、测试、项目管理、数据库程序开发、原始码管理、版本控管等等涵盖整个软件开发期间,加以管理与优化的解决方案
日法院判决南亚侵犯富士通专利 (2007.08.31)
日本富士通表示,该公司打赢了与台湾南亚科技的半导体专利官司。南亚科技则表示,将会与富士通进行交互授权,但权利金额度则尚未透露。 根据报导,富士通表示,东京地方法院已经判决南亚科技日本公司所销售的产品侵犯富士通半导体的专利技术
DRAM导入90奈米制程 八吋厂寻找新出路 (2007.04.30)
由于标准型DRAM纷纷导入90奈米制程,因此为了解决八吋厂成本竞争力不足的问题,DRAM厂有意将八吋厂产能转为逻辑芯片代工之用途,对于此举是否影响晶圆代工厂之产能利用,部份晶圆代工厂认为将不会有所影响
南亚最快明年达成DRAM全球市占一成目标 (2007.03.12)
据南亚科技总经理连日昌表示,南亚首座十二吋厂三A厂明年底便将达到每月6万2000片的产能,到时候南亚将拥有超过一成的全球市占率,并且也将正式进军NAND Flash市场。而第二座十二吋厂三B厂也会在今年下半开始动工兴建
奇梦达下单 华东产能利用率提升 (2006.08.17)
资本支出规模越来越高的内存封测产业现况,也使得导致封测厂兴起「绑桩」的经营型态,继海力士与尔必达在台寻求DRAM的封测产能支持后,华东科技也成为奇梦达在台独立下单的第一家封测厂
90奈米制程微缩顺利 DRAM业者乐观 (2006.07.04)
第二季以来DRAM市场供需平衡未有太大变化,DRAM价格也维持在一定区间之内,这个市况对于DRAM厂来说,却可有效控制成本,并尽力拉高营收及毛利率,如国内DRAM厂力晶、茂德、南亚科等,第二季营收创下历史新高,毛利率也较第一季大跃进
需求浮现 DRAM价格七月将上扬 (2006.06.06)
内存大厂南科召开法说会,副总经理白培霖表示,六月份的DRAM合约价见低点,DDRII约小跌3至5%,DDR方面则持平或小涨,然因大陆地区暑期计算机促销档期将开始,预期需求会在六月下半出现,因此DRAM合约价可望在七月小反弹
Vista需求 为国内DRAM厂带来利多 (2006.05.08)
微软新操作系统VISTA预计将在明年上半年正式上市,面对需求面的强劲成长前景,国内外DRAM厂的着眼点却不太相同。以前五大厂三星、奇梦达、Hynix、美光、尔必达等业者来说
DRAM价涨 厂商对下半年景气表乐观 (2006.05.04)
受到国际DRAM大厂将主产能调配生产NAND闪存及利基型DRAM影响,四月虽然进入传统市场淡季,但现货价及合约价均维持涨势,淡季不淡的现象十分明显,因此扩大参加台北国际半导体产业展的南亚科技及力晶半导体等二家国内DRAM厂
DDR2内存下半年需求大增 (2006.03.20)
DRAM行情相对稳健,加上DDR2需求、行情增温,南亚、茂德以及模块厂宏连科二月份营收均较一月逆势增长,其中主攻OEM市场的南亚有逾6%的表现。 南亚科发言人白培霖表示,三月份DDR2合约价调涨10%,供需依然吃紧,到四月也还不错
增加自有产能 南亚首座12吋厂动土 (2006.03.16)
内存大厂南亚科技的首座十二吋晶圆厂于十五日动土。这次南亚在台北县泰山乡的新厂,初步将耗资新台币400亿元,整体建厂完毕预计花费839亿元。公司准备在今年第四季大手笔筹资100亿元因应建厂所需资金缺口,目前则尚未决定以现金增资或发行海外存托凭证募资

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