CTIMES - 搜尋：SiGe-BiCMOS

相位陣列波束成形IC簡化天線設計 (2020.11.27)
本文介紹現有的天線解決方案以及電控天線的優勢所在。此外，在此基礎上，介紹半導體技術的發展如何實現改進電控天線SWaP-C目標，並舉例說明ADI技術如何做到這一點。

Marvell在新加坡設立新營運中心持續擴展亞洲業務 (2018.11.15)
Marvell Technology Group Ltd. 宣布在位於新加坡工業園區中心位置的大成中心(Tai Seng Center)設立卓越營運中心。 Marvell 在新加坡開展業務二十多年，極大促進了公司在全球的成功和持續成長

ADI 55 MHz至15 GHz寬頻微波頻率合成器功耗減半且尺寸更小 (2018.07.19)
亞德諾半導體(ADI)推出一款整合壓控振盪器(VCO)的寬頻頻率合成器，突破的性能和彈性適合航太、無線基礎設施、微波點對點鏈路、電子測試與測量、衛星終端等多種市場應用

是德科技與美加大聖地牙哥分校聯合展示快速28 GHz 5G頻段雙向相位陣列 (2017.06.08)
使用具相位陣列波束指向功能的雙向64元鏈路實現破記錄的8 Gbps資料速率，適用於5G、航太與國防應用。是德科技（Keysight）日前與美國加州大學聖地牙哥分校（UCSD）共同宣布，全球最快的28 GHz 5G頻段雙向相位陣列鏈路已成功通過驗證

ADI新型寬頻RF合成器可達到13.6 GHz高性能 (2017.05.04)
產品供貨情況千顆量報價封裝 ADF5356 已開始提供樣品 $39.98 32引腳，5 mm x 5 mm LFCSP封裝 ADF4356 全面量產 $20.36 32引腳，5 mm x 5 mm LFCSP封裝 EV-ADF5356SD1Z 現可提供預先發佈的評估板單價$450

英飛凌射頻解決方案實現快速、高效率且可靠的5G通訊 (2017.03.14)
【德國慕尼黑訊】即將到來的 5G 網路具備了前所未見的規模、速度與複雜性，無論是大型或小型公司，其業務運作方式將隨之產生革命性的變化，為現有市場和新興市場帶來全新商機，同時也將讓家庭、城市、汽車及工業更佳智慧化、自動化，並且互連連網化

是德科技與UCSD共同展示5G無線通訊鏈路 (2016.12.14)
雙向鏈路可在60 GHz頻段運作，具有相位陣列波束指向功能，可支援5G和航太與國防應用? 是德科技（Keysight）日前與美國加州大學聖地亞哥分校（UCSD）共同宣佈全球最長的60 GHz雙向相位陣列鏈路已成功通過驗證

奧地利微電子為0.35μm類比特殊製程推出可交互操作製程設計套件 (2016.03.22)
奧地利微電子（ams AG）推出應用於0.35μm類比特殊製程的可交互操作製程設計套件（iPDK）。該可交互操作製程設計套件基於開放存取（OpenAccess）資料庫，透過使用標準語言以及統一的架構實現多種EDA工具的可共同操作性

凌力爾特20dB 增益寬頻差動放大器提供51dBm OIP3線性度 (2014.10.17)
凌力爾特（Linear）日前發表20MHz至2G Hz差動輸入和輸出20dB增益放大器LTC6430-20，元件可提供+51dBm OIP3的線性度（輸出第3階截點）和於240MHz的2.9dB雜訊指數，並擁有最佳的+23.9dBm OP1dB（輸出1dB壓縮點）

Tektronix在新一代示波器上採用IBM矽鍺晶片 (2013.07.01)
全球示波器的領導製造商 Tektronix 日前宣佈，其新一代的高效能即時示波器將納入IBM的最新9HP矽鍺 (SiGe) 晶片製造過程。第五代IBM的半導體技術搭配其他的發展，如先前宣佈的「非同步時間交錯功能」(Asynchronous Time Interleaving，正在申請專利)，將使示波器擁有70 GHz的頻寬能力和改善的訊號完整性

Maxim推出通用型汽車級GNSS接收器和前端放大器 (2012.03.23)
Maxim 日前推出，針對全球導航衛星系統(GNSS)推出新一代高性能方案MAX2769B和MAX2670。靈活的接收器設計方案支援GPS、GLONASS、伽利略和北斗等多種導航系統，並通過PPAP和AEC-Q100認證

一款4.5-5.8 GHz 差分 LC 壓控振盪器使用0.35 ptm SiGe BiCMOS工藝技術-一款4.5-5.8 GHz 差分 LC 壓控振盪器使用0.35 ptm SiGe BiCMOS工藝技術 (2011.05.30)
一款4.5-5.8 GHz 差分 LC 壓控振盪器使用0.35 ptm SiGe BiCMOS工藝技術

ＮS新中繼器可延長3倍高傳輸介面電纜傳送距離 (2011.05.11)
美國國家半導體（NS）於日前宣佈，推出一系列全新的第三代PCI Express（8Gbps）中繼器，其特點是可提供前所未有的訊號調節效能而且功耗極少，特別適用於資料中心伺服器和儲存系統

安捷倫射頻/微波設計模擬平台開始出貨 (2011.05.05)
安捷倫科技（Agilent）於日前宣佈，旗下最新版的射頻/微波設計與模擬平台ADS 2011，已經開始出貨。該平台提供工程師可以使用不同的技術，來設計個別的射頻／微波積體電路

NS推出訊號調節能力加倍而功耗減半的全新中繼器 (2011.02.08)
美國國家半導體（NS）於日前宣佈，推出三款多通道PowerWise 10Gbps中繼器，其特點是具有高36dB等化增益，每通道僅55mW的功耗，並可延長一倍的電纜長度，以24-AWG電纜為例，傳送距離可長達20公尺

數位IF的SiGe BiCMOS發射器IC為3G WCDMA手機應用-數位IF的SiGe BiCMOS發射器IC為3G WCDMA手機應用 (2011.01.24)
數位IF的SiGe BiCMOS發射器IC為3G WCDMA手機應用

凌力爾特推出全差動放大器LTC6409 (2010.10.15)
凌力爾特（Linear Technology）於昨（14）日宣布，推出全差動放大器LTC6409，其能驅動DC至100MHz的訊號，並具備僅1.1nV /√Hz的雜訊和- 88dBc HD2/HD3失真。此元件以先進的SiGe BiCMOS製程建立，擁有10GHz的增益頻寬乘積，達 40MHz 的100dB SFDR及1.9ns 的1％完畢時間，使其非常適合驅動最新的高速ADC，如1.8V 14位元150Msps的 LTC2262 - 14

ADI新款RF/IF可變增益放大器問世 (2010.10.10)
美商亞德諾（ADI）近日宣佈，發表一系列的高整合度RF/IF可變增益放大器（VGA）。ADI全新ADL5201、ADL5202、ADL5240與ADL5243可變增益放大器，將高達4組的分離式RF/IF區塊結合在單一元件當中

Tektronix推出可擴充效能示波器平台 (2010.08.31)
Tektronix公司於昨30日宣布，推出新一代可擴充效能示波器平台，將廣泛採用IBM 8HP矽鍺 (SiGe) 技術。Tektronix致力於協助全球各地的工程師，加速未來設計的除錯與測試作業。130奈米（nm） SiGe雙橿互補金屬氧化半導體（BiCMOS）鑄造技術，可提供較前一代技術高出2倍的效能—目標在提供即時頻寬超過30 GHz的示波器

Design and Scaling of W-Band SiGe BiCMOS VCOs-Design and Scaling of W-Band SiGe BiCMOS VCOs (2010.08.26)
Design and Scaling of W-Band SiGe BiCMOS VCOs