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SiC MOSFET：意法半導體克服產業挑戰的顛覆性技術 (2024.11.11)
意法半導體中國及APeC車用SiC產品部門經理Gaetano Pignataro分享了他對碳化矽（SiC）市場的觀點、行業面臨的挑戰以及ST應對不斷增長需求的策略。 |
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英飛凌推出靜態開關用的全新工業級和車規級高壓超接面MOSFET (2023.07.31)
在靜態開關應用中，電源設計著重於得以降低導通損耗、優化熱性能、實現精簡輕便的系統設計；英飛凌科技（Infineon）正擴大其CoolMOS S7 系列高壓超接面（SJ）MOSFET 的產品陣容因應所需 |
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英飛凌推出全新800V和950V AC-DC整合式功率級產品組合 (2022.09.26)
在提高高壓電源的性能、效率和可靠性的同時，也需要減少元件的數量和材料清單（BOM）成本，並降低所需的設計工作量。為了滿足這些需求，英飛凌科技股份有限公司推出第五代定頻（FF）CoolSET產品組合，旨在提供合適的關鍵元件，以優化設計 |
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三星首款MOSFET冰箱變頻器 採用英飛凌600V功率產品 (2021.05.27)
英飛凌科技向三星電子供應具有最高能源效率及最低噪音的功率產品。這些功率裝置已整合在三星最新款的單門式(RR23A2J3XWX、RR23A2G3WDX)與FDR(對開式：RF18A5101SR)變頻式冰箱 |
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英飛凌EiceDRIVER Compact新系列 快速整合高切換頻率設計 (2020.12.24)
英飛凌科技針對旗下EiceDRIVER 1ED Compact隔離閘極驅動器系列，推出新一代產品X3 Compact (1ED31xx)系列。此閘極驅動器採用DSO-8 300 mil封裝，提供單獨的輸出選項，並具備主動關斷和短路箝制功能 |
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英飛凌推出650V CoolMOS CFD7A系列 打造汽車應用的超接面MOSFET效能 (2020.05.08)
為滿足電動車市場需求，英飛凌科技推出全新CoolMOS CFD7A產品系列。這些矽基高性能產品適用於車載充電器系統的PFC和DC-DC級，以及專為電動汽車應用優化的高低壓DC-DC轉換器 |
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英飛凌推出低頻應用的600V CoolMOS S7超接面MOSFET (2020.03.03)
英飛凌科技股份有限公司成功開發出滿足最高效率和品質要求的解決方案，針對MOSFET低頻應用推出600V CoolMOS S7系列產品，帶來優異的功率密度和能源效率。
CoolMOS S7系列產品的主要特點包括導通性能優化、熱阻改善以及高脈衝電流能力，並且具備最高品質標準 |
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英飛凌CoolSiC 肖特基二極體 1200 V G5 系列增添新封裝 (2019.06.19)
英飛凌科技擴充 CoolSiC 肖特基 1200 V G5 二極體系列，新增TO247-2 封裝產品，可取代矽二極體並提供更高的效率。擴大的 8.7 mm 沿面與空間距離可為高污染環境提供額外的安全性 |
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英飛凌擴大量產並加速推出CoolSiC MOSFET分離式封裝產品組合 (2019.05.17)
英飛凌科技1200 V CoolSiC MOSFET 產品組合進入大量生產階段。這些產品的額定值從 30 m? 至 350 m? ，並採用 TO247-3 與 TO247-4 封裝。另更延伸產品系列，即將推出的新產品包括表面黏著裝置 (SMD) 產品組合及 650 V CoolSiC MOSFET 產品系列 |
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意法半導體推出快速恢復的超接面MOSFET (2019.02.14)
意法半導體推出之MDmesh DM6 600V MOSFET具備一個快速恢復二極體，將最新超接面（Super-Junction）技術的性能優勢導入全橋和半橋拓樸、零電壓切換（Zero-Voltage Switching，ZVS）相移轉換器等的拓樸結構裡通常需要一個穩定可靠的二極體來處理動態dV/dt的應用 |
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意法半導體超接面MOSFET瞄準節能型功率轉換拓樸 (2019.01.16)
意法半導體（ST）新款MDmesh系列600V超接面晶體管是為提高中等功率諧振軟開關和硬開關轉換器拓樸的效能而設計。針對軟開關技術優化的閘極開啟電壓使新型晶體管適用節能應用中的LLC諧振轉換器和升壓PFC轉換器 |
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英飛凌推出 950 V CoolMOS P7 超接面 MOSFET 適用於 PFC 與返馳拓撲 (2018.09.07)
英飛凌科技股份有限公司CoolMOS P7 系列推出 950 V CoolMOS P7 超接面 MOSFET 新產品，符合最為嚴格的設計要求：適用於照明、智慧電錶、行動充電器、筆電電源供應器、輔助電源供應器，以及工業 SMPS 應用 |
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英飛凌CoolSET系列：定頻整合PWM控制IC提供電路保護 (2018.04.03)
現今的電源供應器元件需求最佳的效能、效率、耐用性及設計易用性。為滿足上述要求，英飛凌科技股份有限公司發表第五代定頻 700 V/800 V CoolSET。此解決方案以單一封裝整合PWM控制IC及最新700 V與800 V CoolMOS P7系列 ，支援隔離與非隔離返馳式拓撲 |
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意法半導體新MDmesh MOSFET內建快速恢復二極體 (2017.06.02)
意法半導體（STMicroelectronics，ST）新款MDmesh Dk5功率MOSFET電晶體於特高壓（Very High-Voltag，VHV）晶體管中內建了快速恢復二極體，包括零電壓切換（Zero-Voltage Switching，ZVS）LLC諧振轉換器 |
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英飛凌推出適合低/高功率高效率應用的高壓MOSFET (2017.03.31)
【德國慕尼黑訊】英飛凌科技(Infineon) 擴增旗下CoolMOS技術產品系列，推出 600 V CoolMOS P7和600 V CoolMOS C7 Gold (G7) 系列，能夠以600 V崩潰電壓運作，具有更佳的超接面MOSFET效能，可讓各種目標應用達到無可比擬的功率密度 |
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意法半導體最新900V MOSFET提升反激式轉換器之輸出功效 (2017.03.24)
意法半導體（STMicroelectronics，ST）最新的900V MDmesh K5超接面MOSFET讓電源設計人員能夠滿足更高功率和更高效的系統需求，其擁有同級最好的導通電阻（RDS(ON)）和動態特性。
900V崩潰電壓確保在高匯流排電壓系統應用下具有更高的安全係數 |
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Fairchild 推出SuperFET III MOSFET系列 具備更佳效率、EMI及耐用性 (2016.09.21)
Fairchild，現在是安森美半導體的一部分，今天推出其 SuperFET III 650V N 通道 MOSFET 系列，這是公司推出的新一代 MOSFET，能夠滿足最新的電信、伺服器、電動汽車 (EV) 充電器及光伏產品對於更高功率密度、系統效率及出色的可靠性方面的要求 |
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意法半導體推出1500V超接面功率MOSFET讓電源應用環保又安全 (2015.11.09)
意法半導體（STMicroelectronics，ST）的新系列功率MOSFET讓電源設計人員實現產品效能最大化，同時提升工作穩健性及安全系數。MDmeshTM K5產品是擁有超接面技術優勢及1500V漏極-源極（drain-to-source）崩潰電壓（breakdown voltage）的電晶體，並已獲亞洲及歐美主要客戶導入於其重要設計中 |
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英飛凌參加德國紐倫堡PCIM 2015展會 (2015.05.21)
（德國慕尼黑訊）英飛凌科技（Infineon）於歐洲PCIM 2015展會首度展出英飛凌與國際整流器公司（IR）整合後的功率產品組合，此外也將展出GaN（氮化鎵）產品，以及許多源自英飛凌「從產品思維到系統洞察」策略的創新解決方案 |
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意法半導體新650V超接面MOSFET提升安全系數 (2014.12.02)
意法半導體（STMicroelectronics；ST）的最新超接面（super-junction）功率MOSFET可滿足家電、低功耗照明以及太陽能微逆變器對電源能效的要求，同時提供更高的可靠性和最新且可滿足高功率密度的封裝選項 |
