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不斷進化的電力電子設計：先進模擬工具 (2024.03.22)
電力電子設計領域正在快速演進，引領著高速、高效元件的新時代；而突破性的模擬工具，重新定義了工程師對電力系統進行概念化、設計及驗證的方式。在虛擬原型設計中運用模擬工具，帶來了設計流程的重大變革 |
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大聯大友尚推出基於onsemi和GaN System產品之PD快充電源方案 (2022.09.20)
大聯大控股宣佈，其旗下友尚推出基於安森美（onsemi）NCP1623和NCP1343產品以及氮化鎵系統公司（GaN System）GS-065-011-2-L功率晶體管的PD快充電源方案。
以手機、電腦為代表的移動智能設備已經成為人們日常生活的重要工具 |
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大聯大友尚推出基於onsemi和GaN System產品的65W PD電源方案 (2021.11.11)
現今移動設備充電功率不斷提高，高功率充電器的小型化，便攜化將成為未來發展的重要方向。而功率往往和充電器的體積相互影響，亦即輸出功率越大，體積通常就越大 |
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賦能未來，勇往直前：SiC MOSFET問世10周年的思索 (2021.04.20)
在SiC MOSFET問世10周年之際，作者回顧科銳公司十年歷史所經歷的關鍵時刻，並認為未來的發展會比過去曾經歷的增長還要巨大，也為下一步即將增長的產業曲線提出卓見。 |
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大功率射頻晶體管面向工業和專業射頻能量應用 (2019.01.18)
Ampleon今天宣布，面向工作在2400MHz至2500MHz頻率範圍內的脈衝和連續波(CW)應用，推出500W的BLC2425M10LS500P LDMOS射頻功率晶體管。BLC2425M10LS500P適用於各種工業、消費和專業烹飪射頻能量應用；由於它可以通過單個SOT1250空腔塑料封裝提供500W的CW，因此具有非常高的功率與封裝比 |
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意法半導體推出新一代車用數位音效功率放大器晶片 (2016.01.05)
意法半導體（STMicroelectronics；ST）擴大其在車用數位音效技術領域的優勢，推出第二代車用數位音效功率放大器晶片，不僅可協助汽車音響系統廠商簡化功率放大設計，更為駕乘及乘客帶來更出色的聽覺饗宴，而且音質不受車廂空間大小的影響 |
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英飛凌推出行動基地台發射器專用的氮化鎵裝置 (2015.10.02)
【德國慕尼黑訊】英飛凌科技（Infineon）推出碳化矽（SiC）射頻功率電晶體的氮化鎵（GaN）系列產品。憑藉英飛凌的氮化鎵技術，該款新產品可協助行動基地台的製造商打造體積更小、功能更強大，且具彈性的發射器 |
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宜普電源推出全新增?型氮化鎵功率電晶體 (2015.08.27)
宜普電源（EPC）推出EPC2039功率電晶體。該產品是一種具備高功率密度的增?型氮化鎵（eGaN）功率電晶體，其尺寸只是1.82mm2、80 VDS、6.8 A及在閘極上施加5 V電壓時的最大阻抗? 22 微歐姆 |
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溝槽構造SiC-MOSFET可大幅降低導通電阻 (2015.08.14)
ROHM近日研發出採用溝槽結構的SiC-MOSFET，並已建立完備的量產體制。與量產中的平面型SiC-MOSFET相比，同一晶片尺寸的導通電阻可降低50%，這將大幅降低太陽能發電用功率調節器和工業設備用電源、工業用變流器等所有相關設備的功率損耗 |
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宜普演示板採用氮化鎵場效應電晶體實現音頻高效 (2015.02.06)
宜普電源轉換公司（EPC）推出新款採用具備高頻開關性能的氮化鎵功率電晶體的D類音頻放大器參考設計（EPC9106）採用 Bridge-Tied-Load（BTL）設計，包含四個接地的半橋輸出功率級電路，使得設計可以升級及擴展 |
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宜普電源推出450 V增強型氮化鎵功率電晶體 (2015.01.15)
具備４奈秒上升時間特性的450 V氮化鎵場效應功率電晶體(eGaN FET)並適合於高頻直流-直流轉換器及醫療診斷儀器的應用。
宜普電源（EPC）推出450 V並通常處於關斷狀態的增?型功率電晶體（EPC2027），可用於需要高頻開關的應用，從而實現更高的效率及功率密度 |
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意法最新雙極性功率電晶體媲美MOSFET的能效並節省電路板空間 (2013.10.11)
意法半導體的3STL2540提供雙極性電晶體的成本優勢和矽面積使用效率，同時兼具同等級MOSFET的能效，為設計人員提供一個節省空間的低成本電源管理和DC-DC電源轉換器（DC-DC converters）解決方案 |
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科學家開發下一代「完全整合」LED元件 (2013.06.30)
倫斯勒理工學院(Rensselaer Polytechnic Institute)的智慧照明工程技術研究中心稍早前宣佈，已經成功地在相同的氮化鎵(GaN)上整合LED和功率電晶體。研究人員稱這項創新將敲開新一代LED技術的大門，因為它的製造成本更低、更有效率，而且新的功能和應用也遠超出照明範疇 |
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意法半導體採用新節能封裝擴大高能效功率產品陣容 (2013.05.14)
橫跨多重電子應用領域、全球領先的半導體供應商意法半導體推出了首款採用新封裝技術的MDmesh V 超接面（Super-Junction）MOSFET，新封裝可提升家用電器、電視機、個人電腦、電信設備和伺服器開關電源的功率電路能效 |
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英飛凌榮獲奧地利國家創新獎 (2013.04.09)
英飛凌科技榮獲 2013 奧地利國家創新獎 (National Innovation Prize)，該公司因其在奧地利菲拉赫(Villach) 廠所開發的 12吋薄晶圓技術而獲獎。英飛凌(奧地利)董事會成員，負責技術及創新的 Sabine Herlitschka 博士代表英飛凌從奧地利經濟部長 Reinhold Mitterlehner 手上接下這座獎項 |
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快捷半導體SiC BJT上場 鎖定5kW應用市場 (2012.11.21)
快捷半導體日前才完成收購碳化矽(SiC)功率電晶體企業TranSiC，掌握了最關鍵的SiC材料與製程技術，並且能夠在超廣溫度範圍下有亮眼出色的性能，以及高於金屬氧化物半導體場效電晶體（MOSFET）和接面場效電晶體（JFET）技術的雙極SiC電晶體技術 |
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快捷半導體SiC BJT上場 鎖定5kW應用市場 (2012.11.21)
快捷半導體日前才完成收購碳化矽(SiC)功率電晶體企業TranSiC，掌握了最關鍵的SiC材料與製程技術，並且能夠在超廣溫度範圍下有亮眼出色的性能，以及高於金屬氧化物半導體場效電晶體（MOSFET）和接面場效電晶體（JFET）技術的雙極SiC電晶體技術 |
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R&S氣冷式中功率發射機降低高功率發射機能源 (2012.11.08)
R&S TMU9 UHF 中功率發射機以及 R&S THU9 UHF 高功率發射機，已達到相當優異的能源利用效率，例如應於COFDM數位電視標準其能源利用效率高達38%，此兩款發射機除了可以大幅節省能源成本外，亦為目前市場上同等級發射機中最高能源利用效率的機種 |
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ST超結型MOSFET系列再添新成員 (2012.01.06)
意法半導體（ST）日前推出MDmesh V系列。MDmesh V系列是高性能MOSFET產品，擁有極低的每單位面積導通電組（on-resistance per area），在650V額定電壓應用中可實現高能效和功率密度；對於以熱量形式損耗電能的系統功率轉換電路，如電子照明控制器、消費性電子電源和太陽能電力轉換器可提升能效 |
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吉時利型號2651A高功率電源電錶儀器整合實現100A測試應用文件-吉時利型號2651A高功率電源電錶儀器整合實現100A測試應用文件 (2011.11.18)
吉時利型號2651A高功率電源電錶儀器整合實現100A測試應用文件 |
