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科林研發推出Lam Cryo 3.0低溫蝕刻技術 加速3D NAND在AI時代的微縮 (2024.08.06)
Lam Research 科林研發推出 Lam Cryo 3.0，這是該公司經過生產驗證的第三代低溫介電層蝕刻技術，擴大了在 3D NAND 快閃記憶體蝕刻領域的領先地位。隨著生成式人工智慧（AI）的普及不斷推動更大容量和更高效能記憶體的需求，Lam Cryo 3.0 為未來先進 3D NAND 的製造提供了至關重要的蝕刻能力 |
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Lam Research以Lam Cryo 3.0 低溫蝕刻技術加速實現3D NAND目標 (2024.08.06)
隨著生成式人工智慧（AI）普及推升更大容量和更高效能記憶體的需求，Lam Research科林研發推出第三代低溫介電層蝕刻技術Lam Cryo 3.0，已經過生產驗證，擴大在3D NAND快閃記憶體蝕刻領域的地位 |
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記憶體應用發展的關鍵指標 (2024.07.01)
記憶體發展軌跡是隨著越來越龐大的運算與感測功能而亦步亦趨，其應用發展的關鍵指標就會以容量、速度為重點來觀察。當容量與速度越來越大、越來越快，可靠度也是未來發展的關鍵指標 |
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Microchip與韓國IHWK合作 開發類比計算平臺 (2023.09.14)
為了適應網路邊緣人工智慧（AI）計算及相關推論演算法的快速發展，韓國智慧硬體公司（IHWK）正在為神經技術設備和現場可程式設計神經形態設備開發神經形態計算平臺 |
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堆疊層數再升級 儲存容量免焦慮 (2023.08.28)
本次要介紹的產品，是來自SK海力士（SK Hynix）最新的一項記憶體產品，它就是目前全球最高層樹的「321層NAND快閃記憶體」。 |
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創新SOT-MRAM架構 提升新一代底層快取密度 (2023.04.17)
要將自旋軌道力矩磁阻式隨機存取記憶體（SOT-MRAM）用來作為底層快取（LLC），目前面臨了三項挑戰；imec在2022年IEEE國際電子會議（IEDM）上提出一套創新的SOT-MRAM架構，能夠一次解決這些挑戰 |
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意法半導體CAN FD Light協議提供車用照明整合性解決方案 (2022.10.27)
意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST）推出的L99LDLH32線性穩流器，根據輕型CAN FD Light協議為動態車用照明控制提供方便的整合性解決方案，並可與很小表面之發射明亮、均勻且高對比光線的OLED完美搭配，設計師除了能為汽車打造複雜圖案及光效外，亦可提升其安全性及外觀設計 |
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實現潔淨發電：新一代電池與儲能技術 (2022.09.24)
對間歇性發電的再生能源電力系統來說，很難將它們穩定地連接到商業電網。最佳的解決方案，就是開發大規模的儲能電池技術，將電力儲存起來。 |
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力旺和熵碼宣布全球首個嵌入式快閃記憶體IP通過聯電矽驗證 (2022.06.28)
力旺電子及其子公司熵碼科技和全球半導體晶圓專工業界的領導廠商聯華電子，今日共同宣布全球首個基於物理不可複製功能（PUF）的嵌入式快閃記憶體（Embedded Flash；eFlash）解決方案通過矽驗證 |
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宇瞻工控寬溫SSD可為智能聯網實現最佳資料存儲耐用性和成本效益 (2022.03.10)
3D NAND快閃記憶體廣泛用於各種工業應用及垂直細分市場，根據Allied Market Research發佈的3D NAND快閃記憶體市場展望，2020 年全球 3D NAND 快閃記憶體市場規模為 123.8 億美元，預計到 2030 年將達到 784.2 億美元，2021至 2030 年的複合年增長率(CAGR)為 20.3% |
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美光推出176層NAND資料中心SSD 滿足資料中心工作負載需求 (2022.03.04)
美光科技宣佈全球首款垂直整合的資料中心 176 層 NAND 固態硬碟 (SSD) 已正式送樣。為滿足高標準的資料中心工作負載需求，採用 NVMeTM 技術的美光 7450 SSD 能將服務品質 (QoS) 延遲1控制在 2 毫秒 (ms) 或以下、多樣的容量設計和業界最多元的規格尺寸 |
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儒卓力供應Lumberg大電流接觸元件 支援靈活的機電連接插入 (2021.05.03)
Lumberg相位接觸元件可在狹窄空間中實現最佳連接，它在兩側具有敞開的接觸表面(面積14.0mm x 10.2mm)，提供了多種插配選擇：從上方、穿過PCB或從下方(間距0.8/1.0mm)。接觸元件在汽車領域眾多應用上均不可或缺，例如工業電動馬達的變頻器、電動汽車中的控制單元、電池儲存單元或車載充電模組 |
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啟方半導體第二代車用0.13微米嵌入式快閃儲存 將於今年量產 (2021.04.06)
韓國積體電路製造代工服務公司啟方半導體(Key Foundry)今天宣佈已成功開發出採用第二代0.13微米嵌入式快閃儲存技術的汽車半導體產品，年內將全面投入量產。
五年多來，啟方半導體借助第一代0.13微米嵌入式快閃儲存技術，不斷推進微控制器(MCU)、觸控(Touch)和自動對焦(Auto Focus)等各種消費類應用產品的量產 |
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Western Digital與鎧俠共推第六代126層3D快閃記憶體 (2021.02.25)
Western Digital與鎧俠株式會社（Kioxia），今日共同宣布完成第六代162層的3D快閃記憶體（BiCS6）技術開發，為雙方20年的合作關係立下一個全新里程碑。
第六代3D快閃記憶體擁有超越傳統八維堆疊儲存通孔陣列的先進架構 |
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ROHM推出寫入最快的EEPROM 減省30%裝置生產工時 (2021.01.06)
半導體製造商ROHM推出全新EEPROM「BR24H-5AC系列」，新產品針對車電相機/感測器出廠設定、安全氣囊彈出記錄，以及需要長時間通電的FA裝置和伺服器資料記錄系統等應用而設計，在嚴苛環境可穩定儲存/寫入資料，還支援I2C匯流排和125℃工作 |
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BCM將高壓電池轉化至SELV系統 (2020.09.15)
純電動汽車和混合動力汽車的電源架構以混合電壓儲存並分配電源，以便為各種感測、控制、安全及資訊娛樂子系統供電。這為電源儲存和供電網路帶來了一個成本、空間及重量挑戰 |
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掃除導熱陰霾 拉近IC與AI的距離 (2020.09.03)
不論是處理器或終端應用晶片，都面臨散熱的嚴峻挑戰，未來晶片設計也顯現高度整合與智慧化的發展趨勢。 |
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鑑往知來 洞察不同應用領域的DRAM架構（下） (2020.08.13)
本文上篇已回顧了各種DRAM的特色，下篇則將進一步探討3D結構發展下的DRAM類型，並分享愛美科的DRAM發展途徑。 |
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三星推出8TB消費級固態硬碟 結合HDD級大容量與SSD高性能 (2020.07.27)
台灣三星電子宣布將推出第二代四層儲存單元（QLC）快閃固態硬碟－870 QVO SATA SSD，為大容量消費電子儲存產品樹立新標竿。新款固態硬碟（SSD）以高達8TB的超大容量霸氣領先群雄，結合無與倫比的速度、儲存空間和可靠性，鎖定主流市場和專業PC使用者 |
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NOR記憶體朝向高容量、低功耗、小尺寸發展 (2020.06.09)
因為先天的架構設計差異，NOR的重要性在近期備受注目，尤其是在5G基地台、汽車電子，以及高性能的工業應用上。 |
