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应材於新加坡举行节能运算高峰会 推广先进封装创新合作模式 (2024.11.21)
为加速推进高效能、低功率的AI晶片新封装技术，应对次世代节能运算需求。应用材料公司近日於新加坡主办高峰会，除集结超过20多位半导体产业顶尖的研发领袖，并鼓励设备制造商、材料供应商、元件厂商与研究机构之间联盟合作，并采用专为加速先进晶片封装技术商业化而设计的新合作模式，宣布推动全球EPIC创新平台扩展计画 |
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巴斯夫与Fraunhofer光子微系统研究所共厌 合作研发半导体产业创新方案10年 (2024.10.24)
巴斯夫和Fraunhofer 光子微系统研究所近日共同厌祝在光子微系统领域的合作达10周年。双方一直致力於半导体生产和晶片整合领域的创新和客制化解决方案，合作改进微晶片的互连材料 |
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盛美半导体新型面板级电镀设备问世 拓展扇出型面板级封装产品线 (2024.09.03)
盛美半导体设备推出了用於扇出型面板级封装（FOPLP）的Ultra ECP ap-p面板级电镀设备。该设备采用盛美自主研发的水准式电镀确保面板具有良好的均匀性和精度。
盛美的Ultra ECP ap-p面板级电镀设备可以达到加工尺寸515x510毫米的面板，同时具有600x600毫米版本可供选择 |
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HBM应用优势显着 高频半导体测试设备不可或缺 (2024.08.27)
HBM技术将在高效能运算和AI应用中发挥越来越重要的作用。
尽管HBM在性能上具有显着优势，但在设计和测试阶段也面临诸多挑战。
TSV技术是HBM实现高密度互连的关键，但也带来了测试的复杂性 |
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挥别制程物理极限 半导体异质整合的创新与机遇 (2024.08.21)
半导体异质整合是将不同制程的晶片整合，以提升系统性能和功能。
在异质整合系统中，讯号完整性和功率完整性是两个重要的指标。
因此必须确保系统能够稳定地传输讯号，和提供足够的功率 |
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AI运算方兴未艾 3D DRAM技术成性能瓶颈 (2024.08.21)
HBM非常有未来发展性，特别是在人工智慧和高效能运算领域。随着生成式AI和大语言模型的快速发展，对HBM的需求也在增加。主要的记忆体制造商正在积极扩展采用3D DRAM堆叠技术的HBM产能，以满足市场需求 |
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3D IC与先进封装晶片的多物理模拟设计工具 (2024.07.25)
在3D IC和先进封装领域，多物理模拟的工具的导入与使用已成产业界的标配，尤其是半导体领头羊台积电近年来也积极采用之後，更让相关的工具成为显学。 |
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美光最低延迟创新主记忆体MRDIMM正式送样 (2024.07.18)
因应工作负载要求的日益严苛，为了充分发挥运算基础架构的最大价值。美光科技（Micron）宣布其多重存取双列直??式记忆体模组（MRDIMM）开始送样。MRDIMM针对记忆体需求高达每DIMM ??槽128GB以上的应用 |
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高速运算平台记忆体争霸 (2024.07.02)
各类AI应用的市场需求庞大，各种记忆体的竞争也异常的激烈，不断地开发更新产品，降低成本，企图向上向下扩大应用，只有随时保持容量、速度与可靠度的优势才是王道 |
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西门子推出全新Calibre 3DThermal软体 强化3D IC市场布局 (2024.06.30)
西门子数位工业软体近日宣布推出 Calibre 3DThermal 软体，用於 3D 积体电路（3D-IC）热分析、验证与除错。Calibre 3DThermal 将 Calibre 验证软体和 Calibre 3DSTACK 软体的关键能力，以及西门子 Simcenter Flotherm 软体运算引擎相结合 |
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AI世代的记忆体 (2024.05.28)
AI运算是专门处理AI应用的一个运算技术，是有很具体要解决的一个目标，而其对象就是要处理深度学习这个演算法，而深度学习跟神经网路有密切的连结，因为它要做的事情，就是资料的辨识 |
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美光32Gb伺服器DRAM通过验证并出货 满足生成式AI应用要求 (2024.05.08)
美光科技宣布其采用高容量单片 32Gb DRAM 晶粒的 128GB DDR5 RDIMM 记忆体正式验证与出货。美光 128GB DDR5 RDIMM 记忆体速度高达 5,600 MT/s，适用於各种先进伺服器平台，该产品采用美光的 1β 技术，相比其他 3DS直通矽晶穿孔（TSV）堆叠的产品，位元密度提升超过 45%，能源效率提升 22%，延迟则降低 16% |
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工研院突破3D先进封装量测成果 获德律、研创资本、新纤注资共创欧美科技 (2024.05.02)
在人工智慧（AI）浪潮席卷全球之下，工研院新创公司「欧美科技」今（30）日宣布成立，将藉由非破坏光学技术为半导体先进封装带来突破性的检测应用，运用半导体矽穿孔量测研发成果，推动AI晶片高阶制程提升整体良率，帮助半导体业者快速监别产品，也获得德律科技、研创资本、新光合成纤维等注资 |
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美光推出128GB DDR5 RDIMM记忆体 为生成式AI应用提供更隹解 (2023.11.27)
美光科技，宣布推出128GB DDR5 RDIMM 记忆体，采用 32Gb 单片晶粒，以高达 8,000 MT/s 的同类最隹效能支援当前和未来的资料中心工作负载。此款大容量高速记忆体模组专为满足资料中心和云端环境中各种关键应用的效能及资料处理需求所设计，包含人工智慧（AI）、记忆体资料库（IMDBs）、高效处理多执行绪及多核心运算工作负载等 |
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联电与供应链夥伴启动W2W 3D IC专案 因应边缘AI成长动能 (2023.10.31)
联华电子今(31)日宣布，已与合作夥伴华邦电子、智原科技、日月光半导体和Cadence成立晶圆对晶圆（wafer-to-wafer；W2W）3D IC专案，协助客户加速3D封装产品的生产。此项合作案是利用矽堆叠技术，整合记忆体及处理器，提供一站式堆叠封装平台，以因应AI从云端运算延伸到边缘运算趋势下，对元件层面高效运算不断增加的需求 |
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应材分享对应5大挑战技术与策略 看好2030年半导体产值兆元美金商机！ (2023.09.05)
因应人工智慧（AI）、物联网产业兴起，将进一步提高晶片需求并，推动半导体产业成长，预计最快在2030年产值可??突破1兆美元。然而，晶片制造厂商同时也须面临维持创新步伐的重大挑战，美商应用材料公司（APPLIED MATERIALS）也在今（5）日分享，将之归类为「5C」大挑战，以及对应提出的研发技术平台与策略 |
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矽光子发展关键：突破封装与材料障碍 (2023.08.21)
最终的光电融合是3D共封装光学，即三维整合。可以毫不夸张地说，基於矽光子的光电子融合，将会是未来计算机系统和资讯网路的关键技术。 |
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晶背供电技术的DTCO设计方案 (2023.08.11)
比利时微电子研究中心（imec）于本文携手矽智财公司Arm，介绍一种展示特定晶背供电网路设计的设计技术协同优化（DTCO）方案，其中采用了奈米矽穿孔及埋入式电源轨来进行晶背布线 |
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美光发布首款8层堆叠24GB HBM3 实现1.2TB/s频宽 (2023.07.30)
美光科技宣布推出业界首款第二代 8 层堆叠（8-High）24GB HBM3，并开始送样。此产品频宽达 1.2TB/s 以上，每脚位传输速率超过 9.2Gb/s，较目前市面上的HBM3解决方案高出 50%。此外，美光第二代HBM3的每瓦效能较前几代产品提升2.5 倍，刷新 AI 数据中心的关键性能、容量及功耗指标 |
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应材创新混合键合与矽穿孔技术 精进异质晶片整合能力 (2023.07.13)
面对当前国际半导体市场竞争加剧，应用材料公司也趁势推出新式材料、技术和系统，将协助晶片制造商运用混合键合（hybrid bonding）及矽穿孔（TSV）技术，将小晶片整合至先进2.5D和3D封装中，既提高其效能和可靠性，也扩大了应材在异质整合（heterogeneous integration, HI）领域领先业界的技术范畴 |
