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Lam Research完成与Novellus Systems的合并交易 (2012.06.08)
Lam Research Corp.宣布已完成与位于加州圣荷西的Novellus Systems, Inc.合并交易。
这项交易完成后，Novellus的股东将按1:1.125的比率将持有的Novellus普通股免税兑换为Lam Research普通股 |
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半导体设备支出成长143% 微投影力道最强 (2011.04.06)
研究机构Gartner今（4/6）发表最新调查结果，2010年全球半导体设备市场已自为期两年的衰退期中恢复，成长高达143%，近410亿美元。最大的市场驱动力来自于自动测试设备（ATE）、晶圆厂设备(WFE)，以及封装设备（PAE），营收分别劲扬149%、145%，与127% |
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诺发系统宣布开发conformal film deposition技术 (2010.10.19)
诺发系统近日宣布，已经开发conformal film deposition（CFD）技术，可在高宽比4:1的结构上有100%的阶梯覆盖能力。这项创新的CFD技术可以提供32奈米以下在前段制程的需求，例如gate liners、spacers、shallow trench 隔绝的高介电金属闸极（HKMG）liners和用在双曝光技术的spacers |
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诺发系统推出晶圆级封装系列产品 (2010.09.14)
诺发系统近日宣布，推出VECTOR PECVD, INOVA PVD和GxT photoresist strip systems的新机型，这些新机型可以和诺发系统的先进金属联机技术相辅相成，并且展开晶圆级封装技术（WLP）的需求及市场 |
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诺发系统发表全新氮化钨制程 (2010.05.19)
诺发系统（Novellus）日前宣布开发出一种创新的DirectFill化学气相沉积氮化钨（WN）线性阻隔膜，取代传统的物理气相沉积（PVD）金属钛及有机化学气相沉积法（MOCVD）氮化钛堆积成线性阻隔薄膜用于先进内存组件的钨接触传导和铜线互连传导应用 |
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诺发发表新一代电浆化学气相沉积制程 (2010.05.05)
诺发系统日前宣布，已在VECTOR PECVD平台上开发出，具有晶圆对晶圆间膜厚变异小于2埃的精密抗反射层薄膜（ARL）。这种新制程采用VECTOR特有的多重平台序列式沉积工艺技术架构（MSSP），以达成沉积的ARL薄膜具有格外均匀的薄膜厚度，折射率（n）和消光系数（K） |
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前进22奈米 诺发、IBM、CNSE成立策略合作联盟 (2010.03.12)
诺发系统近日宣布，该公司与东菲什克尔的IBM、纽约奥尔巴尼的纽约大学奈米科学与工程学院（CNSE），日前于CNSE的Albany奈米科技中心共同成立策略合作联盟 ，将致力于发展22奈米以及更小世代的半导体制程技术的解决方案 |
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诺发系统宣告售出第1000台化学气相沉积系统 (2010.02.28)
诺发系统日前宣布，已卖出第1000台化学气相沉积系统给新加坡GLOBALFOUNDRIES Fab 7， GLOBALFOUNDRIES为半导体制造技术之供应者，近期并与Chartered Semiconductor Manufacturing进行整合，Fab 7亦会将12吋VECTOR Express应用于65奈米及更先进技术的大量生产 |
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诺发系统启用新型超紫外线热力学制程系统 (2010.02.03)
诺发系统（Novellus）于日前宣布，已导入超紫外线热力学制程系统 SOLA xT，将其应用在先进的45奈米以下的逻辑组件生产，其利用超紫外线的照射来改善前一道制程镀上的薄膜特性，这一新系统可监控紫外线强度及提供客制化的波长光线组合，因此可将系统延用到多世代 |
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诺发SPEED MAX系统扩展应用到32奈米技术 (2009.10.22)
诺发系统宣布开发出一种制造工艺来延伸公司的SPEED MAX系统在隔离浅沟槽（STI）充填沉积应用到32奈米技术节点。这种新工艺技术利用SPEED MAX高密度电浆化学气相沉积（HDP-CVD）的平台发挥动态配置控制(DPC)的功能效果 |
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诺发32奈米介电质技术可解决RC迟滞问题 (2009.04.02)
为了使集成电路组件的性能跟上摩斯定律（Moore’s Law），集成电路设计人员在驱策技术节点缩小化时必需减缓RC迟滞效应。为达到组件缩小所带来的应有的积效进而增加45奈米以下导线间的空间缩小所带来的挑战 |
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ASML在台招募人才以因应亚洲业务成长 (2007.06.12)
全球半导体产业微影技术厂商ASML Holding NV(ASML)宣布，到年底之前该公司预计在台湾再招募79人以支持亚洲地区日益扩大的客户群需求；同时ASML也宣布新人事案，将由产业经验丰富的刘兴凯出任台湾区总经理一职，负责台湾区的营运及管理 |
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FSA于SEMICON China 2006 设立集成电路代工专区 (2006.03.22)
全球IC设计与委外代工协会FSA于SEMICON China 2006内设立的集成电路代工专区已在今天揭开序幕，展览会场位于中国上海的新国际博览中心(SNIEC)。
此次FSA、SEMI以及SICA合作设立的专区是为了促进无晶圆公司与供货商之间的合作关系并进而紧密结合产业供应链的上下游 |
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诺发系统赢得台积电最佳产品奖 (2006.01.13)
半导体业先进制程生产技术导厂商诺发系统公司，13日宣布台积电（TSMC）以2005年最佳产品奖，认可诺发SABRE NExT铜电化学沉积系统的优异效能。
台积电营运组织副总罗唯仁博士表示：「SABRE NExT的领先技术及其低作业成本与高生产力，是让我们300mm晶圆产量跃升的重要关键因素之一 |
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诺发系统发表次90奈米电介质紫外线热处理系统 (2006.01.05)
半导体沉积、表面处理和化学机械平整化制程厂商诺发系统(Novellus Systems)，针对介电薄膜沉积后制程，推出独立式紫外线热处理(UVTP)系统。SOLA针对300mm晶圆量产而设计，可解决下一代消费性电子产品要求的新材料与制造技术需求 |
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诺发系统推出次90奈米电介质紫外线热处理系统 (2005.12.08)
半导体业界先进沉积、表面处理和化学机械平整化制程之生産力及技术领先厂商诺发公司(Novellus Systems)，今日针对先进介电薄膜沉积后制程，推出业界首台独立式紫外线热处理(UVTP)系统 |
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大厂纷加码资本支出 设备业者期待春天 (2005.01.17)
据外电报导，半导体大厂英特尔（Intel）、三星电子（Samsung Electronics）等大厂宣布2005年度加码资本支出，也让半导体设备大厂应用材料（Applied Materials）、诺发（Novellus Systems）、KLA-Tencor等业者前景看俏 |
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多孔性低介电常数材料的非损害性清洗制程 (2004.12.04)
本文所探讨的晶圆表面处理技术，将介绍如何在批次型喷雾清洗设备的协助下，利用饱和臭氧含量的去离子水来处理化学气相沉积的有机矽玻璃低介电常数薄膜，并且分析所得到的光阻去除结果；这项制程不会导致低介电常数性质或微距的改变，此外也证明利用腐蚀抑制剂，就能降低臭氧制程对铜腐蚀效应 |
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全球奈米电子技术现况与趋势探讨 (2004.08.04)
为成为下一世代的市场赢家，奈米级先进制程已经成为全球各大半导体产商积极投入之研究领域，而随着制程不断朝向65奈米、45奈米及32奈米以下尺寸推进，所面临的技术挑战也更加艰难 |
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Novellus推出Xceda方案 (2004.06.24)
Novellus Systems 推出Xceda方案，这款12吋晶圆化学机械抛光 (chemical mechanical planarization, CMP) 平台系统超越65奈米及其以下环境对CMP在技术与经济层面的需求。Xceda能帮助客户克服新一代多层式铜/低介电系数材料结构在抛光制程方面的挑战，并减少40%的研磨液使用量，藉此大幅降低持有成本 |
