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应用材料推出深沟蚀刻技术支持次100nm的DRAM芯片制造 (2001.08.12)
应用材料宣布推出高长宽比沟道（HART：High Aspect Ratio Trench）硅蚀刻反应室，能在100nm或更精密组件上，蚀刻电容结构的高长宽比沟道。这个反应室是应用材料与一家DRAM制造商的合作成果，可支持200mm或300mm晶圆，蚀刻长宽比大于60：1的沟道结构，同时在具有生产价值的蚀刻速率下，提供杰出的制程重复性与均匀性


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